SiC 器件在新能源汽車利用中具备更大上風。IGBT 是雙极型器件,在關断時存在拖尾電 流,是以關断消耗大。MOSFET 是单极器件,不存在拖尾電流,SiC MOSFET 的导通電 阻、開關消耗大幅低落,全部功率器件具备高温、高效和高頻特征,可以或许提高能源轉换 效力。
機電驱動:機電驱動中利用 SiC 器件的上風在于晋升節制器效力,晋升功率密度和開關 頻率,削減開關消耗和简化電路散热體系,從而低落本錢、巨细,改良功率密度。丰 田的 SiC 節制器将電驱動節制器體积減小 80%。
電源轉换:車载 DC/DC 變更器的感化是将動力電池输出的高压直流電轉换為低压直流 電,從而為動力推動、HVAC、車窗起落、表里照明、信息文娱和一些傳感器等分歧體系 供给分歧的電压。利用 SiC 器件可低落功率轉换消耗并實現散热部件的小型化,從而減 小變压器體积。 充電模块:車载充電器和充電桩利用 SiC 器件,可以或许阐扬其高頻、高暖和高压的上風, 采纳 SiC MOSFET,可以或许顯著晋升車载/非車载充機電功率密度、削減開關消耗并改良热 辦理。按照 Wolfspeed,汽車電池充機電采纳 SiC MOSFET 在體系层面的 BOM 本錢将降 低 15%;在 400V 體系不异充電速率下,SiC 充電量较硅質料可以翻倍。
多身分鞭策,SiC 大范围應用甜美點到来。虽然 SiC 功率器件在機能上有诸多上風,但 此前 SiC 的成长重要遭到代價、晶圆質量、工艺技能等限定,没有被大范围利用。近两 年,起步较早的 Wolfspeed、Rohm、英飞凌等海外廠商不竭举行產物迭代,產物機能、 質量延续晋升;晶圆良率晋升,尺寸進级,產能扩充,衬底代價快速下探,咱們認為 SiC器件遍及利用的甜美點已到来。
Die Size 和本錢是 SiC 技能財產化的焦點變量。咱們比力今朝市場主流 1200V 硅基 IGBT 及 SiC 基 MOSFET,可以發明 SiC 基 MOSFET 產物较 Si 基產物可以或许大幅削減 Die Size,且表示機能更好。可是最大阻碍仍在于 Wafer Cost,按照 Yole 测算,单片本錢 SiC 比 Si 基產物超過跨過 7~8 倍。
今朝 A 股上市公司中,各公司在 SiC 范畴希望敏捷,且器重水平较高。9 月 2 日三安光 電公布其 1200V SiC MOSFET 新品,具备新產物具有低比导通電阻(Ronsp)、高击穿電 压、低阈值電压不乱性;天岳先辈公布通知布告,公司 6 吋导電型 SiC 衬底得到 13.93 亿长 单,估计三年贩賣总额将到达 13.93 亿元;斯达半导、華润微、扬杰科技等公司 SiC 產 品也在陆续推出,并得到客户認證或進入量產阶段。