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標題: 半导體設备深度研究:穿越周期,长期受益于國產替代 [打印本頁]

作者: admin    時間: 2023-2-8 16:55
標題: 半导體設备深度研究:穿越周期,长期受益于國產替代
半导體装备是支持電子財產成长的基石,是全部半导體財產链環節中市場范围最廣漠,计谋價值最首要的一環。當前大师津津樂道的國產替换,就是半导體装备范畴的國產替换,是半导體財產链中急必要解决的“洽商”范畴之一。

當前全世界半导體財產進入下行周期,但半导體装备却能逆市而行,得益于充實享受全世界晶圆廠的扩產。中國大陆半导體装备,同全世界半导體装备行業同样,享受着本土晶圆廠扩產。

在海外科技對海內限定加重和本身供给链布局公道優化的布景下,國產替换+自立可控刻不容缓。是以,國產半导體装备產商享有晶圆廠扩產+國產化提速的两重增速。

本文将從海外對我國半导體装备限定、我國半导體装备成长近况、半导體装备的市場范围、半导體装备分類和市場范围、半导體装备財產链梳理及國產化程度、成长空間、重點公司举行深度梳理等,来掌控半导體装备行業将来的投資機遇。

01

海外對我國半导體装备的限定重重加码,國產替换周全提速

1.1.芯片和科技法案出台,半导體系體例裁周全進级

海外對華科技制裁在不竭趋严,半导體財產從全世界分工高度明白到走向“脱钩”。從2018年至今,海外從一起頭的對電子器件征收高额關税,到冲击華為、中兴、中芯,再到封闭超算芯片、EDA软件、半导體系體例造装备等,@乃%44ETc%至對相%MKit4%干@具备海外布景的我國半导體企業高管也举行了明白限定。從海外對我國半导體系體例裁從最起頭關税到装备、先辈制程再到對人的限定,可以看出海外對我國半导體的制裁已到黔驴之技的境界。半导體財產成长的底子在于人,可以说海外對我國半导體的制裁已到了最坏的時刻。但短時間中國半导體成长堕入困局,加快國產替换势在必行。

2022年10月7日,標致國出台最新的《出口管束条例》,,半导體系體例裁周全進级,触及超算芯片、先辈制程類半导體系體例造和相干標致國國籍的我國半导體高管职員等。

重要触及如下几個方面:1)對超算芯片举行限定;2)對半导體系體例造举行限定,包含16/14nm如下的FinFET/GAA  FET的逻辑芯片,半間距為18nm如下的DRAM,128层及以上的NAND闪存及相干范畴美國人的限定;3)UVL(未經核實清单)管束辦法的更新,必要解决终极用处查抄問题,不然移入實體名单EAR;4)28家實體清单的更新。

1.2全世界半导體財產景气宇下行,我國半导體装备逆势上行、國產替换進入新阶段

台积電在22Q3財報阐明會上暗示,将22整年的本錢付出從400-440亿美元降低至360亿美元。据集微網動静,海力士在9月尾已向装备商批改2023年定单,減少装备投資规划,下修幅度估计7-8成;美光也颁布發表将削減2023年的本錢付出30%至80亿美元。象征着全世界半导體景气宇下行,全世界半导體处于下行周期中。

虽然海外對我國半导體財產制裁周全進级,但全世界半导體財產大轉移款式并未扭轉,即便全世界半导體財產景气宇下行,但中國大陆照旧逆势扩產,渐渐成為全世界晶圆扩產中間。按照SEMI的数据,21年末中國大陆的全世界晶圆產能占比仅為16%。21-22年全世界新增晶圆廠估计29座,而中國大陆新增9座,数目占比到达30%以上。按照集微網的数据,21年末中國大陆12寸晶圆產能晋升空間為46.8万片/月,22年12寸晶圆產能晋升空間為52.3万片/月,新增產能空間延续增长。此外,22年後中國大陆估计每一年新增约5座晶圆廠,将来5年估计将新增25座晶圆廠投入設國產,涵盖逻辑、DRAM、MEMS等產線,估计26年末12寸晶圆廠总月產能将跨越276.3万片。

中信證券也暗示,中國大陆晶圆廠現有规划将来新增產能235万片/月(等效12英寸),总投資额跨越1500亿美元,對應均匀每1万片/月 產能投資额约6.5亿美元。

海內晶圆制造廠延续扩充,它們的逆势扩產,培育了自立可控的杰出泥土,在必定水平上抵消了全世界半导體下行周期带来的晦气影响,有用動員了海內半导體装备廠商的技能冲破和事迹高增,國產替换加快成长。

02

我國半导體装备的成长近况

2.1我國芯片入口占近全世界的80%,國產替换空間庞大。

按照國度统计局和海關总署的数据的数据顯示,我國2021年1-12月集成電路的入口数目為6354.81亿個,入口总金额达27934.8亿人民币(约合4396.94亿美元),同比增加15.40%。2021年全世界半导體贩賣到达5559亿美元,同比增加 26.2%。中國集成電路入口额占到全世界的79%。

與巨大市場和制造能力構成光鲜比拟的是,我國芯片的自给率低。据GWY公布的数据顯示,2019年中國芯片自给率仅為30%摆布。GWY在印發的《新時代促成集成電路財產和软件財產高質量成长的若干政策》中暗示,中國芯片自给率要在2025年到达70%,要實現這個方针任重而道遠,也代表廣漠的市場空間。

2.2.我國半导體装备公司总體范围小,部門装备國產化程度不足5%

半导體装备是晶圆制造的基石,也是海外打压的重要環節。而半导體財產链繁杂而巨大的特征,使得很难有某一家公司可以或许在所有装备范畴做到全笼盖,来自全世界各個國度的企業同享全部市場。

按照2021年全世界半导體装备公司營收范围来看,处于第一梯队治療痛風中藥,的營收范围均在百亿范围以上,排名前top10的公司營收體量也在20亿美元以上。比拟海內半导體装备龙頭北方華創2021年電子設备營業(包括集成電路營業和泛半导體營業)營收约為79.5亿元人民币(12.32亿美元),排名第17名,是独一進入全世界半导體装备營收前20的中國大陆公司。表白,我國半导體設备行業的營收范围距行業頭部廠商仍存在较大差距,替换空間庞大。

依照2021財年半导體營業收入排名,全世界營收前五泰半导體装备廠商别离為利用質料230亿美元、ASML211亿美元、东京電子171亿美元、泛林半导體165亿美元、柯磊82亿美元營收。分地域来看,排名前十的廠商中有五家日本公司,三家美國公司,和一家荷兰公司和一家韩國公司。

今朝,我國半导體装备產商根基笼盖半导體全流程装备,但部門装备國產化程度不足5%,國產替换空間庞大。海內廠商在半导體前道和後道装备范畴均加快冲破,進入從1到10的新阶段,渐渐缩小國際差距。

在热处置装备、洗濯装备、刻蚀装备、去胶装备、CMP装备等范畴市占率较高,均在20%摆布,此中去胶装备國產采纳率达74%。比方在CMP装备范畴,華海清科已實現12英寸28nm以上逻辑制程、128层如下3D NAND、1X/1Y DRAM全笼盖,14nm及如下已处于验證當中;在刻蚀装备范畴,中微公司已實現5nm制程的CCP装备的量產,北方華創的14nmICP装备也已進入中芯國際產線举行验證。

但在薄膜沉积装备、离子注入装备、光刻機、涂胶顯影等范畴市占率较低,國產化率合计不足5%,但比年来也有了较大的冲破。拓荆科技的28nm以上PECVD在海內產線得到了较大的定单,實現了量產,SACVD和ALD装备也開端取患了客户定单,實現了冲破。凯世通的多款离子注入機装备產物得到了客户的反复采購和批量定单。

在测试装备范畴,華峰测控、长川科技、華兴源創實現了较大的冲破。此中華峰测控在SoC测试范畴,今朝重要100M的8300實現量產,估计第二代400M以上的8300将在年內構成样機。长川科技的数字测试機D9000,调集1024 個数字通道、200MHz数字测试速度實現快速放量。

03

半导體装备的分類及市場范围

3.1.半导體装备的分類

以半导體財產利用環節划分,半导體装备可分三類:硅片制造装备、前道工艺装备(晶圆制造)和後道工艺装备(封装测试装备)两個大類。

硅片制造装备:在硅片制造流程中,起首需将多晶硅提纯後获得单晶硅棒,颠末磨外圆、切片获得初始硅片,以後再举行倒角、研磨、抛光、洗濯和检测等工艺,终极获得可用于出產加工的半导體硅片。此間重要装备包含单晶炉、滚圆機、切片機、倒角機、研磨機、抛光機、洗濯装备和检测装备等。

前道工艺装备(即晶圆加工装备):晶圆加工步调重要分為分散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、抛光等。以晶圆加工中最首要的光刻為例,光刻又可以细分為洗濯、涂胶、光刻和顯影,對應的晶圆加工装备為洗濯機、涂胶機、光刻機和顯影機。晶圆处置精度高,一般在几纳米至几微米,對加工装备精度請求极高,此中部門工序必要轮回举行屡次,必要用到大量的半导體装备。

在半导體装备中的前道装备盘踞了全部装备市場的80%-85%,此中光刻機,刻蚀機和薄膜装备是價值量最大的三大環節,各自所占的市場范围均到达了前道装备总量的20%以上。

後道工艺装备细分為封装装备和测试装备:封装重要用于芯片後道加工,工艺流程在晶圆制造後,分為傳统封装和先辈封装两种;测试则涵盖半导體中游所有環節,從IC設計到IC封装,都必要颠末测试。

傳统封装装备包含減薄機、划片機、贴片機、引線键合機等;先辈封装装备包含洗濯機、溅射装备、光刻機、涂覆装备、回熔焊接装备等;测试装备重要包含测试機、探针台和分選機。

是以,全世界半导體装备前十名廠商當中,有多家是平台型企業,横跨多個半导體工艺環節。

3.2.半导體装备的市場范围

比年来,跟着新一代信息技能和新能源汽車的新經濟快速成长,集成電路財產也较着呈快速成长的态势,半导體装备景气宇延续飞腾,全世界半导體装备范围從2015年的365亿美元激增到2021年的1026亿美元,CAGR為18.8%。

2021年全世界半导體装备市場贩賣范围為1026 亿美元,同比增加44%。按照SEMI2022年7月中旬公布的陈述展望,半导體系體例造装备全世界总贩賣额估计将在2022年再次冲破記實到达1175亿美元,比2021的1026亿美元增加14.5%,并估计在2023年增至1208亿美元。

全世界半导體装备作為一個具备顯著的周期性特色的行業,将實現罕有的持续四年的快速增加。本轮的半导體装备周期在全世界范畴內持续的時长超越预期。

從2015年的49亿美元扩展到2021年296.2亿美元,同比增加58%,CAGR增加达34.95%,增速遠超全世界均匀程度,成為全世界最大的半导體装备市場,占比28.9%,较20年增加3pcts。按照中商財產钻研院大跌展望,2022年中國半导體估计将继续增加,范围到达2745.15亿元(约383.3亿美元)。

04

半导體装备財產链梳理及各環節國產化程度

半导體装备重要由八大装备组成:硅片制造装备、光刻装备、刻蚀装备、薄膜沉积装备、量测装备、洗濯装备、涂胶顯影、离子注入装备、機器抛光装备及封装、测试装备。

4.1硅片制造装备

半导體硅片是實現半导體系體例造的第一步,重要装备涵盖单晶炉、滚磨機、切片機、倒角機、研磨装备、CMP抛光、洗濯装备、检测装备等。每項装备對付硅片發展都不成或缺。

装备供给商以外洋廠商為主,中國廠商因為起步晚,相對于後進,可是在单晶炉、滚磨機、CMP抛光機、洗濯装备等環節也實現了必定的自立可控。

单晶炉是最首要的硅片制造装备。单晶炉在全世界范畴內的供给商重要有德國PVA TePla AG(普發半导體)和Gero,日本Ferrotec、美國Quantum  Design和Kayex。此中德國PVA TePla AG、美國Kayex與日本Ferrotec為重要的供给商,在全世界的市場份额较高。PVA  TePla AG團體在欧洲晶圆發展晶體装备市場的市占率高达九成以上。中國廠商已具有单晶炉出產能力,代表廠商為晶盛電機。2022年上半年,晶盛電機已實現8英寸晶體發展、切片、抛光和CVD等環節的装备全線笼盖,12英寸的长晶、切片、抛光和研磨等装备已實現批量贩賣。

8英寸和12英寸硅片制造装备或将继续成為主力。今朝8英寸和12英寸大硅片凡是利用于90-55nm與28-5nm制程芯片的制备。据SEMI数据,8英寸硅片占比為24%,12英寸硅片占比為69%。将来跟着新增12英寸晶圆廠不竭投產,12英寸硅片仍将是主流,小尺寸硅片将逐步被镌汰(短時間內8英寸硅片除外)。今朝,量產硅片止步300妹妹(12英寸),450妹妹(18英寸)硅片因為装备及制造本錢太高仍未商用。

4.2光刻装备:壁垒最高,ASML一家独大,國產光刻機實現0到1的冲破

4.2.1光刻機的界说及成长進程

光刻機也叫暴光體系,是制造芯片的最焦點設备且技能难度最高的装备,是半导體系體例造皇冠上的明珠。

光刻是将設計好的電路圖從掩膜版轉印到晶圆概况的光刻胶上,經由過程暴光、顯影将方针圖形印刻到特定質料上的技能,可以简略理解為绘圖進程,是晶圆制造中最首要的技能。光刻工艺包含三個焦點流程:涂胶、瞄准和暴光和光刻胶顯影,全部進程触及光刻機,涂胶顯影機、量测装备和洗濯装备等多种焦點装备,此中價值量最大且技能壁垒最高的部門就是光刻機。

光刻機成长至今,履历了4代產物的迭代。定時間次序别离是g-line、i-line、DUV(KrF、ArF、ArFi)和現在的EUV。此中,EUV是最先辈的技能。

4.2.2光刻機的市場范围

按照SEMI的数据顯示,2021年全世界半导體装备市場贩賣范围為1026 亿美元,光刻機價值占比20%来计较,2021 年全世界光刻機市場范围為205亿美元。按照 ChipInsights 数据,2021 年 ASML、Nikon 和 Canon 前道制程光刻機出貨量别离為 309/29/140 台,合计 478 台。跟着下流市場需求延续升高,今朝光刻機在晶圆制造装备的占比不竭上升,價值占比已晋升至23%,估计2022全世界市場仍将延续增加,销量将达510台。按照SEMI的展望,2022年全世界半导體装备市場范围為1175亿美元,据此测算出2022年全世界光刻機市場范围估计為270.25亿美元。

4.2.3.光刻機繁杂水平高,需多廠结合才能構成光刻機

全球没有任何一家公司可以自力制造光刻機,其出產技能請求极高,可以分為十一個重要部件,包括跨越十万個零件,触及上下流多家供给商,具备极强的生态属性。光刻機的重要部件有工件台、激光源、光束改正器、能量節制器、光束外形設置、遮光器、能量探测器、掩模台、物镜、封锁框架與減震器。

4.2.4光刻機市場的竞争款式

全世界光刻機市場構成以ASML、尼康和佳能三家廠商垄断,此中又以ASML一家独大從销量来看,2021年ASML占比65%,出貨量到达309台,力压尼康和佳能,此中EUV/ArFi/ArF高端光刻機占比别离100%/95.3%/88%。從贩賣额来看,EUV光刻機单價跨越1亿欧元,最新一代0.55NA大数值孔径EUV光刻機单價乃至跨越4亿欧元,全世界唯一ASML可供给,使其盘踞市場绝對龙頭职位地方,2021年市場份额到达85.8%。

我國技能起步晚,但國產光刻機已實現0到1的冲破。因為起步较晚,我國的光刻技能持久後進于先辈國度,但比年在國度政策的鼎力支撑下,我國光刻機技能不竭追逐。

今朝海內具有光刻機出產能力的企業主如果上海微電子設备有限公司,重要致力于半导體設备、泛半导體設备、高端智能設备的開辟、設計、制造、贩賣及技能辦事。公司装备遍及利用于集成電路前道、先辈封装、FPD 面板、MEMS、LED、Power Devices 等制造范畴。公司的光刻機產物有 SSX600 和 SSB500 两個系列,此中 SSX600 系列重要利用于 IC 前道光刻工艺,可知足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關頭层和非關頭层的光刻工艺需求;SSB500 系列光刻機重要利用于 IC 後道先辈封装工艺。28nm辨别率的光刻機也有望获得冲破。

别的,國產光刻機廠家中,中科院光電所研發出365nm波长的近紫外光DUV光刻機装备。

3)光刻機装备最為焦點的技能——浸润體系已获得霸占,28nm光刻機将實現國產化。浸润體系是除光源、物镜、雙事情台以外,光刻機装备最為焦點的一項技能。海內光刻廠商启尔電機攻破了浸润體系的關頭技能,實現了對液體温度的高精度節制,偏差為±0.001°C,到达了國際先辈程度。有了浸润體系,才能轉化获得等效的134nm光波,终极實現28nm的制造。

4.3.刻蚀機装备:已開端實現國產化,進入5nm先辈制程

4.3.1刻蚀的界说和刻蚀法子分類

刻蚀是半导體系體例造焦點工艺,刻蚀機雕镂芯片精准手術刀。作為半导體系體例造進程中三大焦點工艺之一。刻蚀可以简略理解為用化學或物理化學法子有選擇地在硅片概况去除不必要的質料的進程。

刻蚀装备依照刻刻蚀方法可以分為湿法刻蚀和干法刻蚀,可是湿法刻蚀因為刻蚀的精度较低,在制程不竭微缩的情境下,逐步被干法刻蚀代替,在部門制程請求不太紧密的芯片上在利用湿法刻蚀。

依照蚀工具划分可以分為介質刻蚀和导體刻蚀(导體刻蚀又可以分為金属刻蚀和硅刻蚀)。這两類刻蚀工具别离對應了CCP和ICP刻蚀装备。CCP和ICP的市場范围比年来此消彼长。

ICP 與CCP 是利用最遍及的刻蚀装备。等离子體刻蚀機按照等离子體發生和節制技能的分歧而大致分為两大類,即電容性等离子體(CCP)刻蚀機和電感性等离子體(ICP)刻蚀機。此中CCP技能能量较高、但可调理性差,合适刻蚀较硬的介質質料;ICP能量低但可控性强,合适刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的質料。

4.3.2刻蚀機的市場范围

按照Gartner的数据顯示,2020年全世界刻蚀装备市場范围约為137亿美元,此中介質刻蚀装备市場范围约60亿美元,导體刻蚀装备市場范围约76亿美元。估计,2022年将進一步增加至184亿美元。随後受需求影响,會呈現小幅的回落。

按照公然市場数据,2020年我國蚀刻装备市場范围為250.29亿元,2021年我國蚀刻装备市場范围增加至375.28亿元,估计2022年蚀刻装备市場范围有望到达500亿元。

4.3.3刻蚀機的竞争款式

海外廠商盘踞8成分额,海內產商國產化率达20%。從全世界范畴来看,刻蚀装备重要由美國泛林半导體、日本东京電子和美國利用質料三家盘踞领先职位地方,别离占47%、27%和17%,三家市場份额合计占全世界市場占据率高达91%。

今朝,海內能出產刻蚀機的國產公司有中微公司和北方華創两家。從營收端来看,2020年和2021年中微公司和北方華創刻蚀装备營收占海內总刻蚀市場范围的9.19%和10.48%摆布,跟着公司的定单渐渐開释,國產化率有望较着晋升,當前國產化程度已晋升之20%,占全世界市場市場份额的2%摆布。

按照中國招標網的数据顯示,2022年1-7月國產刻蚀機招標54台,國產程度达59%。

海內產商技能延续冲破,先辈制程刻蚀機打入國際市場。海內重要刻蚀機廠商有中微公司、北方華創和屹唐股分。中微公司刻蚀装备包括CCP與ICP,公司正在開辟新型CCP刻蚀装备,涵盖5nm如下逻辑芯片及200层以上3D  NAND存储芯半晌蚀需求的更多分歧刻蚀利用。正在開辟的ICP装备,涵盖7nm及如下的逻辑芯片、17nm及如下的DRAM芯片和3D  NAND存储芯片的刻蚀利用,同時優化開辟雙台ICP刻蚀装备。此中,介質刻蚀已進入台积電5nm產線。

北方華創刻蚀機重要為ICP,笼盖8 英寸、12 英寸55-28nm 制程,已進入中芯國際14nm產線验證阶段;屹唐股分干法刻蚀装备可用于65nm~5nm 逻辑芯片

比年来,海內刻蚀装备企業在技能储蓄和客户認證方面取患了杰出的希望,使得本土晶圆產線上相對于成熟的國產刻蚀装备價值量占比上升,比方:中微的等离子刻蚀機已買通了國際市場,其可以用于14纳米、7纳米和5纳米等多条出產線,遠销欧洲、新加坡、韩國等地;北方華創部門装备如硅刻蚀機也已在國產12英寸装备已在出產線上實現批量利用。

4.4.薄膜沉积装备:集成電路的奠定者

4.4.1薄膜沉积技能支持集成電路成长,多种類型知足分歧需求

前道装备中市場空間最大的细分赛道薄膜沉积装备,今朝是半导體前道装备中市場空間最大的细分赛道,并且跟着芯片的布局愈来愈繁杂,3D FLASH重叠层数的增长,價值量占比也正在同步晋升。

薄膜沉积装备重要賣力各個步调傍邊的介質层與金属层的沉积,包含 CVD(化學气相沉积)装备、PVD(物理气相沉积)装备/電镀装备和 ALD(原子层沉积)装备。

CVD(化學气相沉积)是一种經由過程气體夹杂的化學反响在硅片概况沉积薄膜的工艺,可利用于绝缘薄膜、硬掩模层和金属膜层的沉积。此中,CVD盘踞了靠近一半的市場份额,CVD中又可以细分為APCVD,LPCVD, PECVD,ALD,SACVD,MOCVD等。常压(AP)CVD和低压(LP)CVD的制程對應在微米级别。等离子體CVD(PECVD)和原子层沉积ALD是利用比力遍及的沉积装备,多用于90nm如下各類逻辑芯片,存储芯片的出產。

PVD是将原子從原料靶材上溅射出来,操纵物理進程實現物資轉移,毛囊炎藥膏,沉积構成导電電路,重要利用于金属涂层的制备。

ALD(原子层沉积),又是属于 CVD 的一种,是先辈制程部門工序節點所需的薄膜沉积装备。可以将物資以单原子膜情势一层一层地镀在基底概况的法子,制备的薄膜具备平均的厚度和優秀的一致性,台阶笼盖率高,出格合适深槽布局中的薄膜發展,在28nm如下關頭尺寸缩小的雙暴光工艺方面取患了愈来愈遍及的利用。

下流消费利用多样化促成各類薄膜沉积装备需求比年来,跟着下流財產新技能、新產物快速成长,半导體財產正迎来市場快速增持久。5G 手機、新能源汽車、工業電子等包括的半导體產物数目较傳统產物大比例提高;人工智能、可穿着装备和物联網等新業态的呈現,對付半导體產物發生了新需求。颠末不竭成长,按照分歧的利用演變出了PE清潔白泥,CVD、LPCVD、溅射 PVD、ALD 等分歧的装备用于晶圆制造的分歧工艺。此中,PECVD是薄膜装备中占比最高的装备類型,占总體薄膜沉积装备市場的 33%;ALD装备今朝盘踞薄膜沉积装备市場的 11%;SACVD 是新兴的装备類型,属于其他薄膜沉积装备類面前目今的產物,占比力小。

4.4.2薄膜沉积装备的市場范围

薄膜沉积装备增速快,范围达。2021年全世界半导體薄膜沉积装备市場范围达190 亿美元,估计2022年将到达212 亿美元。按照Maximize Market Research 数据统计,2017-2020 年全世界半导體薄膜沉积装备市場范围别离為 125 亿美元、145 亿美元、155 亿美元和 172 亿美元,2021 年扩展至约 190亿美元,年复合增加率為 11.04%。

估计全世界半导體薄膜沉积装备市場范围在 2025年将從 2021 年的 190 亿美元扩展至 340 亿美元,連结年复合 15.7%的增加速率。

海內薄膜沉积装备市場空間:2021年约為62亿美元。按照SEMI数据,2021 年中國大陆半导體装备市場范围為296.2亿美元,按照薄膜沉积装备约21%的市場份额,咱們推算2021年中國大陆半导體薄膜沉积装备市場范围约為62亿 美元。

4.4.3薄膜沉积装备的竞争者款式

行業壁垒高,三大巨擘高度垄断。從全世界市場份额来看,薄膜沉积装备行業顯現出高度垄断的竞争場合排場,行業根基由利用質料(AMAT)、先晶半导體(ASMI)、泛林半导體(Lam)、东京電子(TEL)等國際巨擘垄断。2019年,ALD装备龙頭东京電子和先晶半导體别离盘踞了31%和29%的市場份额,剩下40%的份额由其他廠商盘踞;而利用質料则根基垄断了PVD市場,占85%的比重,处于绝對龙頭职位地方;在CVD市場中,利用質料全世界占比约為30%,連同泛林半导體的21%和TEL的19%,三大廠商盘踞了全世界70%的市場份额。

從海內視角:海外企業一样寡頭垄断,2021 年半导體薄膜装牙周炎牙膏,备总體國產化率不足 10%。CVD 方面, 海內市場绝大部門份额依然被美國及日韩廠商盘踞,2021 年重要企業為 AMAT、LAM、 WONIK IPS、TEL 等龙頭企業,海內沈阳拓荆以3.1%的市占率位居第七;PVD 方面, AMAT 一样一家独大,盘踞近 60%的市場份额,海內重要企業為北方華創。而按照海內半导體薄膜装备企業重要為北方華創、中微公司和沈阳拓荆,按照三家企業薄膜装备大致贩賣额推算2021年半导體薄膜沉积装备的國產化率在 5%-8%之間。

4.5量测装备

4.5.1量测装备首要性日趋凸顯,技能繁杂行業壁垒高

集成電路出產工艺演進,量测装备首要性凸顯。量测装备不直接介入對晶圆的光刻、刻蚀等工艺处置,主如果在出產中监测、辨認、定位、阐發工艺缺點,對晶圆廠實時發明問题、改良工艺、提高良率,起到相當首要的感化。跟着集成電路工艺進级鞭策芯片出產的总步调数不竭上升。現在芯片出產触及超1000道工序,即便每道工序良率到达99.9%,芯片的终极良品率也只有36.8%,這對单個工序的良率提出了更高的請求。是以,跟着集成電路继续多层化、繁杂化,量测装备的首要性日益凸顯。

量测装备分為尺寸丈量和缺點检测两大類。丈量装备對单步工艺(或若干次類似工艺)处置的晶圆举行丈量,确保關頭工艺参数(厚度、線宽、成份等)合适集成電路的工艺指標。丈量装备重要包含膜厚丈量、關頭尺寸丈量、套刻丈量等。缺點检测装备對晶圆概况的電路布局举行掃描,發明并定位异样的電路圖形,重要包含有圖形检测、無圖形检测、電子束检测三大類。

量测装备技能繁杂,行業壁垒高量测装备必要光學、電子學、挪動平台、傳感器、数据计较软件等多個體系紧密亲密共同,每一個装备廠商针對上述體系都有怪异設計和大量的独家knowhow,行業壁垒较高。别的,制程進级也带来了新的难點。同等样巨细的缺點在成熟制程中长短致命的,在先辈制程中却极有多是致使電路失效的致命性缺點。是以量测装备必要更高的活络度,更快速、更切确的丈量能力。超薄膜(厚度小于10埃)、极高妙宽比、非粉碎性的圖形等布局的丈量,也提出了新的請求。量测装备的重要技能难點包含辨别率、软件算法、產能等。

4.5.2全世界量测装备的市場范围和竞争款式

在半导體前道工序中,量测装备是第四大晶圆制造装备。量测装备的市場范围小于刻蚀、薄膜沉积装备、光刻機,但大于洗濯装备、CMP、离子注入、Track、電镀等環節。

跟着集成電路制程的前進,量测装备的市場范围逐年上升,2021年全世界市場范围到达104.1亿美元,仅次于刻蚀、光刻、CVD,比拟于2020年的76.5亿美元增加36.5%,占半导體装备市場约11%。

因為量测装备种類较多,量测装备市場存在多個细分類。有圖形缺點检测装备市場范围最大,占量测装备总體贩賣额的34%;關頭尺寸掃描顯微镜占12%;膜厚丈量装备占12%;電子束检测装备占12%;套刻偏差装备占9%;宏觀缺點检测装备占6%;無圖形晶圆检测装备占5%。

量测装备市場顯現出高度垄断款式,科磊一家独大。量测装备行業前5名别离為科磊、利用質料、日立、 Nanometrics、Nova,市場占比别离為 52%,12%,11%,4%,3%,行業TOP3盘踞75%的市場份额。美國的科磊公司紧紧盘踞行業的龙頭职位地方,市場占据率跨越行業第二的四倍。

科磊公司的營業可分為辦事和量测装备两大類,此中 2022 財年辦事收入 19.10 亿 美元,占比 20.74%; 量测装备收入 73.01 亿美元,占比 79.26%。公司 2022 年的研 發付出达 11.05 亿美元。

量测装备國產率低,自立可控刻不容缓,國產替换空間大。

受益于海內晶圆廠的大幅扩產,中國大陆量测装备市場范围不竭爬升,2020 年市場范围已到达21亿美元,折合人民币约150亿元,占全世界量测装备市場总额的 27.4%。据精测電子预估,2022年中國半导體量测装备市場已進一步上升到31.1亿美元,将来5年估计复合增加率為 14%。

量测装备触及多种光學、電子學尖端技能,海內企業在相干范畴起步晚,技能堆集亏弱,比拟于科磊等海外企業有着很大的差距。海內包括成熟制程在內的所有半导體出產線中,國產前道量测装备的总體占比只有2%。2022年1-6月,海內晶圆廠公然招標量测装备中(几近全数為成熟或特點工艺制程),國產化比例只有12%。斟酌到大量12寸装备,晶圆廠未举行公然招標,現實國產化率更低。

按照海關的数据顯示,2022年1-9月中國大陆光學類半导體量测装备的入口额已达25.21亿美元,已靠近2021年整年26.70亿美元的程度。同期,中國大陆電子顯微镜與衍射仪入口额9.89亿美元,已跨越客岁整年(有部門電子顯微镜與衍射仪用于半导體出產)。海內量测装备市場范围大,入口替换空間丰裕,國產装备企業成漫空間廣漠。

4.6.洗濯装备:國產化率超30%,行業進入快速成长中

4.6.1洗濯装备在半导體装备的比重占到6%,是前道工艺中第五大装备。

相较光刻、刻蚀等焦點装备價值量较低,但跟着晶圆制程工艺的繁杂化,将来洗濯機的利用次数會渐渐晋升,洗濯機的占比整線的比例将来有望提高至10%。

半导體洗濯是指针對分歧的工艺需求對晶圆概况举行無毁伤洗濯以去除半导體系體例造進程中的颗粒、天然氧化层、金属污染、有機物、捐躯层、抛光残留物等杂質,防止杂質影响芯片良率和芯片產物機能的工序。跟着芯片技能節點不竭晋升,晶圆制造進程中對晶圆概况污染物的節制請求愈来愈高,在全部半导體出產進程中,洗濯几近贯串每個環節,约占总體步调的30%以上。

单片洗濯代替批量洗濯,成為先辈制程主。按照洗濯装备的种類,洗濯装备可以分為单片洗濯装备、槽式洗濯装备、组合式洗濯装备、批式扭轉喷淋洗濯装备。洗濯方案大要上可以分為干法和湿法两類,今朝湿法洗濯為主流方案,占比90%以上。湿法洗濯依照一次洗濯的工具数目分為批量洗濯和单片洗濯。批量洗濯存在交织污染、洗濯平均可控性和後续工艺相容性等問题,在45nm工艺時没法到达足够的良率,會带来高本錢的芯片返工付出。是以,单片洗濯装备渐渐代替槽式洗濯機。

4.6.2洗濯装备的市場范围

2022年半导體洗濯装备约為半导體装备总范围的6%。按照Gartner 统计数据,2018年全世界半导體洗濯装备市場范围為34.17亿美元,2019和2020年受全世界半导體行業景气宇下行的影响有所降低,别离為31.7和33.4亿美元。跟着全世界半导體行業苏醒,全世界半导體洗濯装备市場将呈逐年增加的趋向,2021 年起半导體洗濯装备市場增加敏捷市場范围到达39.2 亿美元,估计2022 年将到达43.2亿美元。随後受需求的影响會再度回落,2025年估计全世界半导體洗濯装备行業将到达40.7亿美元。

跟着全部半导體投資和國產替换的加快,半导體装备市場高速增加的驱動下,半导體洗濯装备行業市場范围高速增加,2020年大幅增加至67.92亿元,2021年到达了106.09亿元,估计2022年我國半导體洗濯装备行業市場范围有望到达150亿元。

4.6.3洗濯装备的市場竞争款式

全世界半导體洗濯装备市場高度集中,日本迪恩士一家占近半壁河山。Screen(迪恩士)、TEL(东京電子)、LAM(泛林半导體) 與SEMES(三星半导體) 四家公司合计市場占据率到达90%以上。此中,Screen(迪恩士)盘踞了全世界半导體洗濯装备45.1%的市場份额。

國產洗濯装备國產化程度超30%,國產替换空間有望進一步上升。今朝我國半导體洗濯范畴的首要廠商包含盛美上海、至纯科技、北方華創、芯源微等,洗濯装备國產化率约為31%,冲破速率最快,國產化率跨越了其他大部門装备。比拟于其他半导體装备,洗濯装备的技能門坎较低,将来5年有望率先實現周全國產化。

值得一提的是,盛美上海在全世界洗濯装备中占2.3%的市場份额,在全世界单片洗濯装备中市場份额到达4%,其研發的单片洗濯装备最高可单台設置装备摆設18 腔體,到达國際先辈程度,今朝正在拟研發的產物包含干法装备拓展范畴產物和超临界CO2洗濯干燥装备;芯源微的前道Spin Scrubber 洗濯機装备今朝已到达國際先辈程度,樂成實現入口替换。

4.7.CMP(化學機器抛光装备)

4.7.1.CMP的界说

CMP技能即化學機器研磨抛光技能。是指經由過程化學腐化與機器研磨的配合感化,實現晶圆概况的全局纳米级平展化的一項技能。CMP装备一般重要由抛光装备、抛光液、抛光垫、废料处置體系等部門構成,在半导體装备中是研制难度较大的装备之一。

重要事情進程是:抛秃顶将晶圆贴合在抛光垫之上,抛光垫和晶圆之間流有必定量的研磨液,經由過程抛光液腐化、微粒磨擦、抛光垫磨擦等實現晶圆概况的全局平展化,包管硅片概况的平均性,同時經由過程检测體系避免過抛。

4.7.2.CMP装备的市場范围

按照SEMI统计,2018年全世界 CMP装备的市場范围约為25.82亿美元,2013年-2018 年全世界CMP装备年均复合增加率到达 20.11%。2019 年受全世界半导體景气宇下滑影响,全世界CMP装备的市場范围呈現短暂下滑,2021 年全世界CMP 装备市場约為27.83亿美元,估计2022年全世界市場范围為30.76亿美元。

2020年全世界CMP装备市場中,中國大陆市場范围已跃升至全世界第一,约為 4.29 亿美元,市場份额 27%。2021年市場范围增加至4.9亿美元,同比增长16.7%。将来跟着集成電路市場需求不竭增长,CMP装备作為其首要構成部門,市場范围将不竭扩展,估计2022年海內CMP装备市場范围将增加至5.3亿美元。

4.7.3CMP装备的竞争款式

今朝全世界CMP装备市場处于高度集中状况,重要由美國利用質料和日本荏原两家装备制造商盘踞,2020年两家合计市占率跨越93%。

我國CMP装备國產化程度较低,但在當局政策的支撑和海內廠商的多年堆集下,海內CMP装备技能有较着希望。海內CMP装备廠商重要有華海清科和北京烁科精微電子,華海清科是海內独一一家實現12 英寸CMP装备量產的廠商,冲破了國際廠商的垄断。其12 英寸系列CMP装备在海內已投產的12 英寸大出產線上實現了批量財產化利用,据其營收统计,2021年海內市場占据率已到达25.8%。烁科精微電子研發制造的8 英寸CMP装备已搬入中芯國際產線。今朝CMP装备國產化率在18%摆布

4.8.离子注入機

4.8.1离子注入機根基表面

离子注入是最首要的搀杂法子离子注入指對半导體概况區域举行搀杂的技能,其目標是扭轉半导體导電類型和载流子浓度。离子注入機為离子注入技能所利用的必备呆板,属于高压小型加快器细分產物。

按照离子束電流和束流能量范畴可将离子注入機分為三大類。三類离子注入機别离是中低束流浪子注入機、低能大束流浪子注入機、高能离子注入機。此外另有用于注入氧的氧注入機,或注入氢的氢离子注入機。离子注入機包括5個子體系:气系统统、機電體系、真空體系、節制體系和射線體系。此中,射線體系為最首要的子體系。

4.8.2离子注入機的市場范围

据Gartner数据统计,离子注入機在晶圆制造工艺装备的市場范围中占比3%摆布,與CMP装备、热处置(退火、氧化、分散)、涂胶顯影機等的市場范围基底细當,低于光刻機、刻蚀機、CVD、PVD、量测、洗濯装备的市場空間。虽然离子注入機在晶圆制造的工艺装备中占比不大,但离子注入技能研举事度大,今朝海內是洽商技能。

按照Gartner统计数据,2015年全世界集成電路离子注入機市場范围约10亿美元,2018年市場范围约15亿美元,年均增速4.6%。2020年离子注入機的市場范围到达18亿美元。從半导體前道装备范围来看,离子注入機约占3%,對應2021年全世界市場范围约22亿美元。持久估量到2030年离子注入機市場范围将到达42亿美元。

依照离子注入機划分為:大束流浪子注入機、中低束流浪子注入機、高能离子注入機。

据Gartner统计:大束流浪子注入機占到60%的比例,由此推算2021年大束流浪子注入機的市場范围约15亿美元;中低束流浪子注入機占比20%,由此推算2021年中低束流浪子注入機的市場范围约5亿美元;高能离子注入機占18%,由此推算2021年高能离子注入機的市場范围约4.5亿美元。

2021年我國离子注入機市場范围达51.2亿元,同比增加16.5%。

4.8.3市場竞争款式

全世界离子注入機高度垄断。今朝市場上离子注入機重要由美國和日本的廠商垄断,重要廠商有外洋的AMAT、Axcelis、Nissin。此中AMAT盘踞70%的市場份额,Axcelis(亚舍立科技設計公司)盘踞约20%的市場份额。

除此之外,日本Nissin重要出產中束流浪子注入機,在中束流浪子注入機的市占率约為10%;日本SEN公司的產物包含高束流浪子注入機、中束流浪子注入機、高能量离子注入機,但在中國大陆地域的市占率相對于较低。

在海內市場,凯世通、中科信引领國產替换。2021 年,凯世通自立研發的首台低能大束流浪子注入機率先在海內12 英寸主流集成電路芯片制造廠完成装备验證事情。高能离子注入機顺遂在某12 英寸集成電路芯片制造廠完成交付,低能大束流重金属离子注入機、低能大束流超低温离子注入機都顺遂經由過程廠商验證,2022年上半年获得在手定单跨越11亿元,并渐渐向客户批量交付低能离子注入機,迈入1到N的放量阶段;中科信產物包含中束流、大束流、高能、特种利用登科三代半导體等离子注入機,12英寸45-22nm低能大束流浪子注入機研發及財產化項目標施行则進入一個全新的自立立异阶段。

4.9涂胶顯影装备

4.9.1涂胶顯影装备表面

涂胶顯影装备包含涂胶機、喷胶機、顯影機,是光刻工序中與光刻機配套利用的装备,是集成電路制造的焦點装备。涂胶顯影装备可以利用于集成電路制造前道晶圆加工范畴,和後道先辈封装范畴,此中,利用于集成電路制造前道晶圆加工環節的前道涂胶顯影装备更多,市場份额占比更大。

涂胶顯影装备重要由涂胶、顯影、烘烤三大體系構成,經由過程圆片通報機器手,使圆片在各體系之間傳输和处置,完成圆片的光刻胶涂覆、固化、光刻、顯影、坚膜的工艺進程。

初期或较低端集成電路工艺中,重要利用自力機台(Off-line),跟着集成電路工艺的晋升,今朝200妹妹及以上的出產線大多采纳與光刻機联機的装备(In-line),與光刻機共同事情。

4.9.2涂胶顯影的市場范围:涂胶顯影行業空間廣漠,需求增加延续

比年来跟着下流需求的延续兴旺和光刻用量的不竭增加,全世界前道涂胶顯影装备贩賣额总體 顯現增加态势。按照 VLSl 数据,全世界前道涂胶顯影装备贩賣额由2013年的14.07亿美元增加至2018年的23.26亿美元,年均复合增加率达10.58%,估计2023年将到达24.76亿 美元。

中國半导體市場范围需求增大,動員涂胶顯影装备市場范围增加。從中國涂胶顯影装备市場范围来看,据统计,中國大區(含中國台灣地域)2018年前道涂胶顯影装备范围8.96亿美元,估计2023年将到达10.26亿美元。

4.9.3市場竞争款式

全世界涂胶顯影装备日本东京電子一家独大。今朝國際上主流的涂胶顯影装备出產商重要集中在日本、德國和韩國,别离是东京電子、迪恩士、苏斯微、细美事等,此中东京電子的全世界市占率达88%,迪恩士、细美事和苏斯微合计占比10%,其他廠商占比2%。在中國的涂胶顯影装备市場中,东京電子和迪恩士别离盘踞91%和5%的市場份额,芯源微的涂胶顯影装备在中國的市占率达4%。芯源微的前道涂胶顯影機offline、i-line和KrF機台均已實現批量贩賣,并已起頭部門量產28nm技能節點的涂胶顯影装备。

4.10去胶装备

去胶装备重要用于暴光後将光刻胶從晶圆上移除,以此来包管晶圆顺遂進入下一步制造步调。去胶工艺可分為湿法去胶和干法去胶,湿法去胶重要采纳溶剂對光刻胶举行消融;干法去胶重要采纳离子轰击的法子去除概况光刻胶,為當前主流技能。

去胶装备的市場范围。据Gartner数据,2020年全世界干法去胶装备市場范围為5.38亿美元,2021年约為6.61亿美元,估计到2025年将增加至6.99亿美元,复合增加率為5.40%。

去胶装备國產化程度超30%。今朝國際上主流的去胶装备出產商重要集中在中國、韩國、日本和美國。

据Gartner数据,2020年屹唐股分去胶装备市占率為31.3%,為全世界第一;北方華創的市占率為1.7%,為全世界第七;其余廠商以外洋企業為主,包含比思科、日立高新、泛林半导體、泰仕半导體等。2018至2020年,屹唐股分在干法去胶装备范畴别离位于全世界第3、全世界第二和全世界第一的市园地位,市場占据率逐年晋升,不竭巩固在全世界的领先职位地方。按照屹唐股分招股书通知布告,公司當前已量產的干法去胶装备已可用于90-5nm逻辑芯片、1Y到2Xnm(约14-29nm)系列DRAM芯片和32-128层3D NAND芯片的出產。

4.10.热处置装备

热处置装备是半导體晶圆前道制造工艺的首要装备之一。热处置工艺包含氧化/分散退火。若按装备形态划分,热处置装备可分為卧式炉、立式炉和快速热处置炉三類。

氧化是經由過程在氧化剂情况中高温热处置硅片,使硅片構成氧化膜,氧化膜可作為离子注入的拦截层、绝缘栅質料和器件庇护层、断绝层、器件布局的介質层等;分散是将搀杂气體导入放有硅片的高温炉,将杂質分散到硅片內,從而晋升硅片导電機能;退火是指在不活跃气體中加热离子注入後的硅片,修复离子注入带来的晶园缺點。

在全世界晶圆制造快速增加布景下,半导體热处置装备市場范围連结安稳增加。按照Gartner统计数据,2020年全世界热处置装备市場范围合计15.37亿美元,此中快速热处置装备市場范围為7.19亿美元,氧化/分散炉市場范围為5.52亿美元,栅极重叠装备市場范围為2.66亿美元;2021年全世界热处置装备范围合计18.95亿美元,此中快速热处置装备市場范围约為8.87亿美元,氧化/分散炉市場范围约為6.83亿美元,栅极重叠装备市場范围约為3.25亿美元。

跟着下流對付半导體產物機能需求的不竭晋升,将對上游热处置装备市場發生拉動效應,在此趋向下,热处置装备估计将得到更大的成长空間。Gartner估计,2025年热处置装备市場范围有望到达19.91 亿美元,此中全世界快速热处置装备、氧化/分散炉和栅极重叠装备的市場范围将别离增至9.37/7.10/3.44亿美元。

全世界热处置装备市場呈寡頭垄断款式。利用質料、东京電子、日立國際電气三大國際巨擘廠商垄断了超80%市場份额。海內廠商中,屹唐半导體市占率5%,北方華創市占率0.2%。

集成電路行業的快速成长對热处置技能提出的請求愈来愈高,因而快速热退火技能(RTP)在半导體系體例造中的竞争上風愈發口腔噴霧,現顯:平凡炉管退火装备加热時长需几小時,而快速热退火装备只需几秒乃至几毫秒,可有用低落整體热预算。

在全世界RTP装备市場中,美國利用質料市場份额仍排名第一,占比近70%,我國屹唐半导體排名第二,市占率11.5%,其他廠商還包含日立國際電气、维易科、迪恩士。

4.12.後道封装测试装备

4.12.1後道封装测试装备的表面

後道封装测试装备分為封装装备和测试装备。後道封装進程重要包含後背減薄、晶圆切割、贴片、引線键合、模塑和切筋/成型,需用到減薄機、切割機、贴片機、烤箱、引線键合機、注塑機和切筋/成型装备等。封装竣事後做最後的制品测试,重要用到测试機、探针台、分選機等。

4.12.2封装和测试装备的市場范围

据SEMI数据,2021年全世界半导體封装和测试装备的范围别离為71.7亿美元和78.3亿美元,估计2024年全世界半导體封装和测试装备的范围将别离到达65.7亿美元和81.9亿美元。

全世界半导體封装装备市場重要以贴片機、划片機/检测装备、引線焊接装备和塑封/切筋成型装备為主;2018年,贴片機占比30%,划片機/检测装备占比28%,引線焊接装备占比23%,塑封/切筋成型装备占比18%,電镀装备占比1%。全世界测试装备市場重要以测试機、分選機和探针台為主;2021年,测试機占比63.1%,分選機占比17.4%,探针台占比15.2%,其他装备占比4.3%。

4.12.3封装和测试装备的竞争款式:重要集中在海外產商,而且高度垄断

封装装备的出產商重要集中在外洋,中國只有少许企業笼盖。贴片機廠商有荷兰Besi、新加坡ASM Pacific、美國K&S等,中國廠商有艾科瑞思、大連佳峰等;划片機/检测装备和引線焊接装备廠商有ASM Pacific、K&S等,中國廠商有中電科45所等;塑封/切筋成型装备廠商有Town、YAMADA、Besi、ASM  Pacific等,中國廠商有富士三佳等。

今朝全世界先辈测试装备制造技能根基把握在美國、日本等廠商手中。全世界後道测试機廠商中,愛德万和泰瑞达盘踞全世界垄断职位地方,合计占比跨越90%。中國测试機廠商有长川科技、華峰测控、联動科技等,此中華峰测控和长川科技别离占中國测试機市場份额的6.1%和2.4%。全世界探针台廠商中,东京紧密和东京電子為全世界龙頭企業,占比别离為46%和27%,中國探针台廠商重要有中國台灣旺矽、惠特、深圳矽電、长川科技、中電科45所等。全世界分選機廠商中,愛德万、科休和Xcerra合计市占率约59%,中國企業重要有长川科技,其全世界市占率达2%。

跟着Chiplet工艺被寄與厚望,先辈封装加快封装装备的需求與迭代。芯片制造逐步步入後摩尔期間,Chiplet工艺被市場認為是減缓先辈制程產能压力和低落芯片本錢的有用法子。同時,在當前中國芯片制程受限的環境下,Chiplet工艺或将成為破局關頭。Chiplet是继SoC以後的又一先辈集成法子,采纳先辈封装技能将分歧制程的裸芯片互联從而集成為體系性芯片组。是以,在Chiplet工艺成长的催化下,全世界封装装备有望需求加大和技能進级。

05

半导體装备的成长空間

半导體財產的焦點在于制造,制造的焦點在于工艺,工艺的焦點在于装备和質料。

是以,半导體装备與半导體行業紧密亲密相干,且市場范围颠簸幅度更大。持久来看,半导體行業将會連结兴旺生命力,作為財產链上游的半导體装备行業市場范围也會不竭扩展。据SEMI统计数据顯示,2021年全世界半导體装备市場范围达1026.4亿美元,较2020年同比增加44.16%。受芯片高库存的影响,2023年全世界半导體装备市場范围為912亿美元,同比降低16%。同時暗示,跟着库存批改竣事,看好2024年半导體装备市場将呈現较着回温,市場范围将达1,071.6亿美元、年增18%。

跟着海外對我國從工艺到装备的限定,在國產替换加快下,中國大陆地域的半导體装备市場連结高速增加,中國半导體装备市場范围2005年到2007年的17年間市場范围复合增速20%,比拟全世界复合增速只有6.9%。與此同時,中國市場的占比從2005年的4%晋升到2021年的28.8%,17年間高速成长。近几年,中國半导體装备市場范围扩展继续提速,近五年行業范围复合增速高达35%。跟着下流晶圆廠定单和验證效力的晋升,估计2022-2025将是半导體國產装备的放量期,高增速有望持续。

06

半导體装备重點上市公司

参考研報:

華安證券:《半导體深度陈述:半导體装备需求强劲,國產装备加快推動》

財通證券:《量测装备行業陈述:過细检测攻坚克难,精准怀抱引领前進》

國泰君安:《半导體自立可控行業陈述:半导體自立可控加快,整線冲破大势所趋》

朴直證券:《國產半导體装备钻研框架:光刻機、薄膜沉积、刻蚀機、洗濯、氧化、离子注入、量测,半导體》




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