台灣環保建材工程交流論壇

標題: 國內半导體前道設备廠商對比研究 [打印本頁]

作者: admin    時間: 2023-2-8 16:58
標題: 國內半导體前道設备廠商對比研究
在统一制程程度下,理解海內半导體装备廠商產物笼盖度的三個条理:1)已笼盖装备環節;2)環節內细分品類笼盖;3)单品類工艺笼盖。笼盖的装备環節即光刻、薄膜沉积、刻蚀等大類。

细分品類笼盖以薄膜沉积為例,薄膜沉积装备可分為PVD、LPCVD、APCVD、PECVD等细分种别,分歧廠商笼盖品類有所差别。對付某一個品類的装备,以PECVD為例,也必要知足分歧工艺的需求,好比SiO二、SiN、SiON、BPSG等工艺,工艺的笼盖度也限定装备廠商的市場拓展。但限于工艺笼盖数据多為非公然数据,本陈述如下阐發中各家装备廠商產物笼盖度仅计较至细分品類笼盖度。

理解半导體装备廠商市場笼盖度的三個条理

仅從當前時點的產物笼盖来看,北方華創在集成電路前道范畴產物笼盖最廣,其装备涵盖刻蚀、薄膜沉积、热处置、洗濯范畴,其次是北京屹唐,笼盖去胶、热处置、刻蚀環節,盛美上海亦有多种產物笼盖,涵盖洗濯、热处置、薄膜沉积。其余大大都企業今朝專注于一個或两個范畴,深耕细分市場,延续晋升所属環節市場份额。

海內半导體装备廠商現有產物(前道装备)

擦窗器,根据 Gartner 2021 年各种半导體前道装备市場范围占比的数据举行推算,以装备大類来计较,今朝海內半导體装备廠商產物笼盖度最高的三家廠商為北方華創、中微公司及盛美上海,產物笼盖度别离到达 51%、44%和 29%,拓荆科技因為卡位焦點装备環節,產物市場笼盖度按大類来看亦到达 22%。

前道制造装备投資占比-2021

海內半导體装备廠浴室地墊,商前道市場笼盖度(按装备大類计较)

海內各前道装备廠商產物笼盖度比拟(按细分品類)

海內半导體前道装备國產化率低,持久空間廣漠。半导體装备市場今朝重要由外洋廠商主导,行業顯現高度垄断的竞争款式,半导體装备总體國產化率仅 10%摆布,海內企業成漫空間廣漠。跟着中國對半导體財產的高度器重,中國部門半导體装备廠商颠末十年以上的技能研發和堆集,在部門技能范畴陆续获得冲破。今朝從國產廠商份额角度看,大致分為三個梯队,第一梯队為實現大部門國產化的范畴,重要為去胶装备;第二個梯队為實現小部門國產化止咳化痰小零食,的范畴,重要包含洗濯装备、CMP 装备、刻蚀装备,國產化率在 10-20%摆布的程度;第三個梯队為國產化起步阶段的范畴,重要包含薄膜沉积装备、离子注入装备、涂胶顯影装备、检测與量测装备,國產化率大多在低個位数程度。

海內半导體装备廠商在海內市場占据率

海內半导體装备廠商在海內细分市場占据率-2021

中國大陆装备廠商根基都可實現 28nm 及以上下流利用。中微公司的等离子體刻蚀装备已利用在國際一線客户從 65nm 到 14nm、7nm 和 5nm 及其他先辈的集成電路加工制造出產線及先辈封装出產線。万業企新谷酵素,業子公司凯世通离子注入平台可笼盖至 3nm 的利用。北京屹唐 10nm 如下干法去胶装备已進入出產產線。拓荆科技 PECVD 可以或许到达 14nm 技能節點。按照 IC Insights,對付<10 纳米 IC 產能,中國台灣占比 63%,韩國持有残剩的 37%,而中國大陆今朝集中在 10nm 制 程以上的芯片制造,具有實現装备國產化的技能前提。

各公司重要營業技能節點

海內半导體装备廠商技能竞争力

國度科技重大專項是為了實現國度方针,經由過程焦點技能冲破和資本集成,在必定時限內完成的重大计谋產物、關頭共性技能和重大工程。刻蚀及沉积装备范畴,北方華創、中微公司、拓荆科技均承當了多個國度重大專項的研發,堆集了一批具有自立常識產权的焦點技能。芯源微、華海清科、中科飞测、盛美上海等廠商别离承當了涂胶顯影、CMP、检测及镀铜等装备的重大專項。

海內半导體前道装备廠商介入國度重大專項環境

中國大陆的晶圆廠受中美商業磨擦影响,為了保障供给链平安踊跃导入國產装备,而大陆之外地域廠商导入新供给商更多基于技能、本錢等贸易身分考量,是以海內装备廠商导入大陆之外地域客户的環境可作為权衡其技能能力的首要指標。今朝,海內中微公司、芯源微、拓荆科技已切入國際领先晶圆廠供给链系统,盛美上海也具有供貨海力士和美國客户的技能能力,北京屹唐 2016年收購了美國半导體装备公司 Mattson,亦切入到浩繁國際领先大客户供给链系统。

部門半导體装备廠商切入國際领先企業供場中投注,给链

以上內容摘自《海內半导體前道装备廠商比拟钻研》

完备版陈述請登录常識星球下载

【半导體財產钻研】常識星球:為必要的朋侪供给優良的陈述資本!




歡迎光臨 台灣環保建材工程交流論壇 (https://welcome7665.com.tw/bbs/) Powered by Discuz! X3.3