半导體行業專题報告:從海外龙頭發展历程看國內半导體設备企業

admin

1. 回首海外半导體装备龙頭廠商的成长之路

全世界半导體装备市場高度集中，海外龙頭企業处于垄断职位地方。美國的半导體廠商重要有利用質料、 泛林半导體和科磊，利用質料是全世界最大的半导體装备制造廠商，產物笼盖除光刻之外的半导體 前道工艺，占全世界半导體装备的 21%；泛林半导體是全世界第三的半导體装备廠商，依照“先專後 全”的線路，先專注于刻蚀装备的研發制造，渐渐成长薄膜沉积、洗濯和检测營業；科磊在半 导體检测装备范畴持久占据 50%以上的市場份额，2021 年占全世界半导體装备 8%。日本的半导體 廠商重要包含东京電子和迪恩士，东京電子的產物笼盖很是周全，在全世界半导體装备市場占 15% 份额，迪恩士的洗濯装备处于全世界领先职位地方，在全世界半导體装备廠商中排名第六；荷兰的半导體 廠商重要為阿斯麦，阿斯麦垄断了全世界的高端光刻機市場，在半导體装备市場中占据 21%的份额。

ASML 是全世界光刻機龙頭，盘踞 75%份额；LAM（泛林半导體）是全世界刻蚀范畴龙頭，盘踞 50% 份额； AMAT （ 應 用 材 料 ） 是 薄 膜 沉 积 、 离 子 注 入 、 CMP 多 领 域 龙 頭 ， 分 别 占 据 85%(PVD)/30%(CVD)、50%、50%市場份额；DNS（迪恩士）是全世界洗濯機龙頭，盘踞 45%份 额；TEL 是全世界涂胶顯影機、原子层沉积（ALD）龙頭，盘踞 87%、30%份额；KLA（科磊）是 全世界检丈量测装备龙頭，盘踞 54%份额。

1.1 利用質料：平台型龙頭，外延并購成绩邦畿

利用質料建立于 1967 年，1992 年景為全世界最大的半导體装备制造廠商，一向連任至今。1970 財 年 AMAT主營營業收入為 730 万美元，1972 年上市時為 630万美元，到 2021 財年（2020.10.26- 2021.10.31）主營營業收入已达 231 亿美元，比上市時增加 3660 倍。

AMAT 持久以来器重技能立异，連结高研發投入。公司积年研發投入占業務收入比重均匀在 15% 摆布。

AMAT 不竭推出新品，引领行業成长步调。AMAT1976 年推出第一台商用等离子化學气相沉积設 备，1987 年推出革命性的单晶圆多反响腔平台 Precision 5000，别离于 1989 年和 1997 年景為全 球第一家推出 200妹妹 和 300妹妹 晶圆制造装备的企業；2005年公布 Centura Advant Edge體系， 采纳了最先辈的硅半晌蚀技能；2006 年公布 Producer GT，是那時最高效、投入產出比最高的 CVD 平台。

外延扩大，打造“半导體装备超市”。半导體装备技能門坎高、研發投入大且周期长，别的客户 验證繁杂，經由過程收購可以或许快速集成技能，成长客户，抢占市場。AMAT1997 年收購两家以色列公 司Opal Technologies（验證临界尺寸的高速计量體系）和Orbot Instruments（制品率提高體系）， 開启了并購之路。今後接踵經由過程并購扩大了公司的 CMP、晶圆检测、洗濯、薄膜沉积、离子注入等營業。同時公司踊跃拓展泛半导體范畴，2007 年收購 HCT，帮忙太阳能范畴客户低落制造光 伏電池的本錢，扩大了光伏電源范畴的營業。

紧抓半导體財產轉移機會，举行全世界结構。早在 1971 年 AMAT 就起頭全世界化结構的测验考试，在欧 洲設立了第一個海外处事機構。20 世纪 70 年月後期，半导體財產由美國向日本轉移，80 年月向 韩國、中國台灣轉移。AMAT 紧抓財產轉移的機會，在全世界各地設立处事处。進入 21 世纪以後， 跟着半导體財產轉移到中國大陆，AMAT也在增强在大陆的结構。1984 年 AMAT就在北京設立了 技能辦事中間，成為第一家進入中國的外資半导體装备廠商。2001 年和 2007 年，别离在北京和 西安置立技能中間和全世界開辟中間。

1.2 ASML：光刻龙頭，冲破性技能變化助力突起

ASML 是全世界光刻機的领跑者，垄断 EUV 光刻技能。ASML 建立于 1984 年，由電子巨擘飞利浦和半导體装备制造商 ASMI 配合建立。現在 ASML 在全世界光刻機范畴处于绝對的霸主职位地方，盘踞 全世界约 75%的光刻機市場，更是垄断了全世界7nm 及如下工艺的 EUV 光刻機技能。2021 財年 （2021.1.1-2021.12.31）ASML 出貨 309 台光刻機，主營營業收入 186 亿美元，同比增加 33%。

革命性技能冲破成绩 ASML 的霸主职位地方。ASML 一向器重研發立异，2021 年研發投入 25 亿美元， 占主營的 14%。ASML 建立以来，四項技能冲破帮忙其成為光刻龙頭企業。1991 年，推出冲破性 平台 PA減肥酵素，S5500，凭仗其领先的出產力和辨别率，奠基了客户根本。2001 年，推出 TWINSCAN 系 统及其雙平台技能，最大限度地提高了體系地出產力和正确性。紧接着，ASML 于 2003 年推出第 一台浸润式呆板，這一技能成為尔後 6五、45 和 32nm 制程的主流，鞭策摩尔定律往前跃進了三 代。2010 年，ASML 输送了第一台 EUV 光刻原型機，成為全世界独一利用极紫外光的光刻機制造 商，開启了光刻機的新期間。

ASML 首要迁移轉變之一：開辟淹没式光刻技能。ASML 最大的弯道超車，產生在 193nm 制程到 157nm 制程的進级進程，那時業內大部門企業選擇在原有技能路径上改良，好比尼康、佳能都選 擇研發 157nm 波长的光源。這時候，台积電科學家林本坚提出，操纵水的折射，使進入光阻的波长 缩小到 134nm，因為淹没式光刻技能研举事度大，且必要颠覆原有設計從新起頭研發，只有 ASML 愿意選擇淹没式光刻技能，2003 年，ASML 和台积電互助研發出首台淹没式光刻装备， 2004 年尼康才终究颁布發表 157nm 的干式光刻機產物样機出炉，尔後，ASML 快速占据光刻機市場 份额。

ASML 首要迁移轉變之二：率先研發出 EUV 光刻機。1997 年，英特尔和美國能源部牵頭组建 EUV LLC 前沿技能组织，论證 EUV 技能的可行性，成員重要包含英特尔、摩托罗拉、AMD 和美國 能源部 (DOE) 的劳伦斯·利弗莫尔、桑迪亚和伯克利國度實行室。ASML 以出資在美國建工場和 研發中間，并包管 55%的原質料都從美國采購的前提，挤進 EUV LLC，而尼康、佳能却被解除在 外。EUV LLC 的钻研功效大大加速了 ASML 的 EUV 研發速率，成為今朝独一把握 EUV 光刻機技 術的廠商。

计谋并購和開放式立异平台助力 ASML 技能立异。ASML 經由過程计谋并購快速占据技能上風，收購 MicroUnity 的 Mask Tool 部分（光學邻近改正技能）、Brion Technologies（计较光刻技能）、 HMI（電子束检测）、Mapper（電子束光刻）和 SVG（微激光體系）。别的，ASML 還于上下流 廠商、钻研機構、同行互助火伴搭建了開放式立异平台，互相鞭策立异，并@供%5k7z3%给對各%59H4C%類@技能的大 型前沿常識库的拜候。

推出总體光刻體系，集成工艺，配合優化機能。半导體行業遭到缩小制造本錢和提高装备機能的 鞭策。但是，跟着半导體特性尺寸的缩小，工艺窗口（出產可行芯片所需的精度公役）也在缩小， 對套刻精度和临界尺寸平均性 (CDU) 等参数提出了严酷的請求。2009 年 ASML 推出总體光刻系 统，集成為了计较光刻技能、晶圆光刻技能和工艺節制，可以實現優化出產精度公役、提高良率、 低落客户時候本錢。

ASML 經由過程收購结構上游，提出客户结合投資规划携部下游，打造上下流长处配合體。ASML 通 過收購 Cymer、berliner glas、Wijdeven Motion 和蔡司半导體 24.9%的股分，结構上游零部件， 包含紫外光源、光學组件、機電和光學镜頭组。2012 年，ASML 提出“客户结合投資规划”，與 客户創建紧密亲密瓜葛，配合承當研發用度，為入股客户供给優先供貨权，從而構成為了巨大的长处共 同體。

1.3 泛林半导體：深耕刻蚀，归并诺發助力平台化

LAM 安身刻蚀装备，逐步向工艺前端和後端扩大營業。泛林團體建立于 1980 年，是全世界领先的 综合性半导體装备龙頭企業。泛林半导體建立第二年便推出了第一款刻蚀装备 AutoEtch。LAM 在刻蚀装备范畴市場份额最大，盘踞 47%的市場份额，公司安身刻蚀装备范畴，渐渐向前端薄膜沉 积和後端洗濯装备延长，經由過程并購不竭晋升竞争能力，構建技能壁垒和扩充產物線。泛林半导體 2021 財年（2020.6.29-2021.6.27）的主營營業收入到达 146 亿美元，同比增加 46%。

LAM 專注于刻蚀装备，不竭举行技能進级。1981-1982 年，LAM 推出了支撑 1.5μm 制程的刻蚀 装备 AutoEtch，1989 年開辟了支撑 0.8 微米制程的刻蚀装备。1992 年推出業內首款 ICP 刻蚀設 备，起頭引领行業成长。LAM 開創 ALE 技能，在 2014 年推出 ALE 刻蚀装备 FLEX 系列和 KIYO 系列。ALE 技能凭仗其在原子层级此外可變節制性和能實現業內最高出產率和選擇比而有望成為 新一代刻蚀装备的財產趋向。

LAM 經由過程并購扩充產物線。早在 1997 年，泛林就經由過程收購 CMP 洗濯范畴的市場带领者 On Trak Systems，補充在干净范畴產物链的不足。2012 年，LAM 吞汐止當鋪，并收購了诺發，其刻蚀和单晶圆洗濯装备方面的领先职位地方與诺發的薄膜沉积技能互補，归并後 LAM 不但可以或许具有更遍及的市場，并且 有助于公司技能團队增强相邻工艺之間的的集成，将来有望開辟“集簇”装备，以提高工艺效力、 低落本錢，晋升装备竞争力。

技能變化驱動泛林事迹增加。跟着芯片制程不竭缩小、芯片布局 3D 化成长，相干装备的加工步 骤增多，刻蚀和薄膜沉积装备成為占比最高的装备。LAM 2012 年起主營營業收入顯現快速增加 的态势，除收購诺發的身分以外，另外一個關頭驱動力是 2014 年 3D NAND 的量產和多重暴光技能 的利用，3D NAND 层数的增长将延续增长對刻蚀技能的依靠，多重暴光技能则是增长了刻蚀工艺 密度，是以對刻蚀装备的需求大幅增加，拉動刻蚀装备龙頭 LAM 營收增加。

1.4 东京電子：紧抓財產轉移機會，受益當局搀扶

东京電子是日本第一的半导體装备廠商。东京電子建立于 1963 年，是日本最大的半导體装备制 造商，也是全世界第四泰半导體供给商。东京電子建立之初重要從事汽車收音機的出口和半导體装备的入口營業，1975 年起頭專注于半导體装备制造，1989 年景為全世界營收额第一的半导體装备制造商，而且持续三年連任。以後东京電子起頭向全世界扩大營業，并增强研發，一向至今，东京 電子依然是第一梯队的半导體装备制造商。2022 財年（2021.4.1-2022.3.31），东京電子營收 178 亿美元，同比增加 35%。

东京電子踊跃相應日本經濟轉型和全世界半导體財產轉移，领跑日本半导體装备財產。东京電子 建立之初是一家技能商業公司，重要從事汽車收音機的出口和半导體装备的入口營業，1963 年在 日本財產機關查询拜访集會上，日本當局着手制订旨在将本國高新技能成长由“摄入型成长”變化為 “自立立异型成长”的持久计划，提倡由技能引進向自立立异的轉型，东京電子便于 1968年景為 了日本第一家半导體装备制造廠商。1973 年，受煤油危機影响，日本當局提出要重點搀扶钻研開辟密集財產，恰逢尼克松打击致使日元升值，出口營業遭到打击，东京電子于1975年判断退出消 费電子出口，專注半导體装备制造。随後日本半导體財產鼓起，东京電子從美國引進技能，一跃 成為全世界第一的半导體装备制造商。跟着日本半导體營業的下滑，东京電子起頭将營業向全世界扩 展，并拓展到 FPD 范畴。比年，跟着大数据、新能源車的驱動半导體財產的快速成长，东京電子 加大立异研發，迎来新成长。

东京電子為甚麼能成為全世界领先的半导體装备廠商？

（1）东京電子成长于日本半导體行業的黄金時代。19 世纪 70 年月末，美日几近同時推出 64K DRAM，敏捷向全世界市場浸透，1984-1985 年，日本企業開展代價围歼，進一步占据市場。半导 體装备市場依靠于半导體系體例造廠商對装备的投資，别的，日本半导體財產在當局的成心指导下， 以 DRAM 作為贸易契機，鞭策本土半导體出產装备與出產質料快速成长，與半导體財產同步，日 本半导體装备市場范围扩展，成长敏捷。

（2）引進先辈技能。东京電子經由過程合股公司的情势從美國引進先辈的技能，并與本身的制造技 術融為一體，1982 年建立 TEL-Varian Ltd.在日本起頭出產离子注入機，1983 年與 LAM 建立合股 公司，在日本出產刻蚀装备。 （3）安身海內市場，開辟海外市場。虽然东京電子 1986 年便起頭出口營業，可是開初出口營業 份额其實不大，專注于海內市場。20 世纪 90 年月是东京電子结構海外的關頭時代，1993 年是东京 電子迈向海外的首要一步，东京電子起頭结構在韩國的營業，1994年起頭在泰西構建贩賣與辦事 收集，在 1994年以前，东京電子面向海內產物的贩賣占比跨越 80%，但在 1998 年，东京電子海 外贩賣初次跨越海內贩賣，2000 年海外贩賣冲破 70%。

1.5 科磊：检测装备先行者，連结技能代際上風

科磊為半导體检测装备的引领者，先發上風较着。科磊建立于 1975 年，芯片行業的起步阶段， 那時所制造的半导體良率只有不到 50%，跟着芯片层数的增长，良率乃至不到 10%，缺點检测問 题也随之進级，KLA 第一個產物掩膜检测装备，将光掩膜检测所需時候從 8 小時削減到 15分钟， 而且可以做到更周全的检测，敏捷被半导體行業接管，随後投入大量資金研發，不竭推出新產物。 KLA-Tencor 归并後起頭大肆收購，扩大產物组合，市場份额敏捷進一步扩展， 2021 財年 （2020.7.1-2021.6.30）KLA 主營營業收入 69 亿美元，同比增加 19%。

KLA1975 年推出創始性的掩模检测东西迎来了半导體工艺節制的曙光，現在應用宽带等离子技能 检测缺點，KLA 一向連结技能的先發上風，推出一系列最先辈入市場的装备。從產物迭代来看， KLA 每一年以竞争敌手两倍的速率向市場新推出的新產物，且產物领先市場两代，在其辦事的10個 下流范畴中，8 個范畴的市占率第一。主如果因為 KLA 器重研發：

（1）高研發投入：研發投入占比根基保持在 15%以上，高于行業其他企業。

（2）不竭提高低一代產物的研發投入：2021 年 KLA 用于下一代技能的研發占总研發投入的 82%。

（3）與客户互助研發：KLA 作為检测装备范畴的龙頭企業，具有壮大的客户根本，經由過程與客户 互助研發，提高產物竞争力。

外延并購吸取先辈技能。1997 年，KLA 和 Tencor 归并，KLA 供给高端主動化光學晶圆检测、光 罩检测等装备，而 Tencor 更專注于薄膜量测，這次归并為半导體系體例造商供给了完备的良率辦理產 品和辦事系列。尔後，KLA-Tencor 起頭了大肆收購，經由過程计谋收購的方法得到先辈技能，拓展公 司的產物系列。2019 年，KLA 收購 Orbotech，切入 PCB 检测、面板检测和特别半导體检测，與 進程節制構成四大營業板块。

KLA 具有丰硕的產物系列。一方面因為 KLA 在研發上的高投入，另外一方面 KLA 經由過程外延并購不 断吸取先辈技能，拓宽產物線，KLA 產物可以應用到多种半导體元件的制造及封装，而且笼盖半 导體系體例造的全財產链。

KLA 近十年內涵進程節制范畴的市場份额連结在 50%摆布，是第二名的 4 倍，检测/量测装备市場 為甚麼难以切入？ （1）检测/量测装备開举事度大、技能壁垒高。起首检测装备的技能超過電子束、X 射線衍射、 激光照明和高機能计较等范畴；其次半导體检测装备必要應用光學、電學道理举行纳米级紧密 水平和 3D 维度上的检测及量测。

（2）检测装备定制化及差别化水平高。半导體检测装备的检测工具為定制化芯片，分歧制程的 芯片對参数的請求常常是分歧的。芯片制造中分歧工艺進程中必要應用的检测装备也有所分歧， 好比電子束检测可以應用在抛光、刻蚀等工艺，而掩模版检测则合用于暴光工艺。除此以外，晶 圆制造進程傍邊還必要對分歧的参数如電阻、膜厚、膜應力等举行量测，晶圆加工以後還必要检 查芯片機能是不是合适請求。

（3）装备利用寿命长。一方面，半导體装备的长利用寿命强化先發上風，增强與客户的持久绑 定瓜葛；另外一方面，辦事類收入受益于长利用寿命将不竭增长，且受行業周期颠簸影响小。KLA 跨越 50%装备利用寿命达 18 年，均匀利用寿命為 12 年，辦事收入呈指数级增加，為全行業纯服 務收入占比最高的企業。

1.6 迪恩士：洗濯装备龙頭，面對竞争压力

迪恩士是全世界洗濯装备龙頭廠商。迪恩士建立于 1943 年，于 1975 年导入半导體装备制造，受益 于日本 1980s 半导體財產的起飞，在半导體洗濯装备范畴敏捷成长，并于 1983 年樂成開辟了世 界上第一台扭轉晶片洗濯體系。迪恩士洗濯装备產物笼盖周全，引领着先辈的洗濯装备技能，連 续多年在单片洗濯装备、批量洗濯装备和扭轉洗濯装备范畴盘踞世界第一。迪恩士主營營業收 入呈颠簸向上的趋向，重要系全世界經濟情势的影响。2022財年（2021.4.1-2022.3.31） DNS主營 營業收入 4119 亿日元，同比增加 29%。

迪恩士在单片洗濯装备范畴的市場份额逐步低落，國產装备有望切入市場。迪恩士是一家聚焦于 洗濯装备的企業，洗濯装备占其半导體装备營業的 95%以上，单片洗濯機占70%，聚焦单一范畴 给公司带来了绝對的市場占据率，2009年迪恩士在全世界单片洗濯装备的市場份额高达 70%，但 2021年单片洗濯装备竞争力顯現降低的趋向，占比 38%，重要因為： （1）洗濯装备介入到芯片制造的各個環節，新進入者切入难度相對于较低。

（2）迪恩士韩國市場開辟阻力大。迪恩士 2004年起頭拓展韩國市場，较着晚于 TEL（1993年）、 LAM （1989 年）同等業竞争企業，错失了開辟韩國市場的先機；别的，韩邦本土装备廠商 SEMES（三星旗下子公司）在洗濯装备方面亦具有较强竞争力，2020 年 SEMES 单片洗濯装备 占全世界 14%的份额，排名第三，给迪恩士開辟韩國市場带来了阻力。

2. 國表里差距快速缩小，政策鼎力支撑有望進一步加 速成上進程

2.1 刚强高研發投入，與海外廠商技能差距快速缩小

海內半导體装备廠商刚强高研發投入，發展動能足。外洋龙頭装备廠商一向連结着高研發投入， 2021 年 AMAT 和 ASML 的研發投入约 25 亿美元，從研發投入的绝對值来看，海內廠商固然不及 外洋龙頭企業，北方華創的研發投入在海內处于领先职位地方，2021 年研發投入 29 亿元；可是從研 發投入占比例来看，海內廠商很是器重研發投入，高于外洋龙頭，根基在 15%以上。

延续實現技能冲破，與海外廠商差距快速缩小。海內半导體装备廠商已實現 28nm 制程以上工艺 技能笼盖，另有部門廠商技能到达國際先辈程度，好比中微公司的 CCP 刻蚀装备已可以笼盖 5nm 如下的逻辑芯片和 128 层 3D NAND 產線；北京屹唐干法去胶装备可用于 90nm 到 5nm 逻 辑芯片、1y 到 2x 纳米系列 DRAM 芯片和 32 层到 128 层 3D 闪存芯片制造中；盛美上海全世界首 創 SAPS、TEBO 兆声波洗濯技能和 Tahoe 单片槽式组合洗濯技能，SAPS 洗濯装备获得海力士 的反复定单；拓荆科技的 PECVD 也已展開 10nm 及如下制程產物验證测试。

2.2 多渠道晋升技能气力，供给链平安保障能力大幅晋升

多渠道吸取前沿技能，拓展營業结構。因為半导體装备技能門坎高，研發投入和危害相對于比力大， 經由過程外延的方法可以帮忙企業敏捷切入市場，把握焦點技能。好比跟着技能節點成长到0.35μm， CMP 装备的需求量快速增加，泛林于 1997 年收購 On Trak 敏捷切入 CMP 市場；ASML 1999 年 收購 MicroUnity 的 Mask Tools 部分，敏捷把握先辈的光學临近改正技能，進一步提高對准精度。 海內半导體装备也在踊跃测验考试經由過程外延方法举行结構，精测電子經由過程與韩國 ATE 龙頭 IT&T 互助， 設立合股公司，操纵 IT&T强劲的研發气力快速结構半导體测试范畴；中微公司则經由過程投資睿励仪 器和拓荆科技举行检测装备和薄膜沉积装备的结構。

装备廠商踊跃结構上游零部件，供给链平安保障能力大幅晋升。万業收購 Compart Systems（高 精度流量節制產物和技能的全世界计谋供给商），结構上游零部件，完美集成電路設备財產工艺链， 确保供给链的平安，而且有益于實現上下流財產协同效應。北方華創收購北廣科技射頻利用技能 相干資產，射頻利用技能是半导體設备產物的焦點技能之一，這次資產整合有益于提高北方華創 微電子射頻利用技能程度，可加强公司半导體設备產物技能開辟與利用能力。

2.3 迎財產轉移汗青機會，海內政策强力支撑

跟着终端需求的不竭變革，鞭策半导體財產轉移。半导體的需求模式對財產的成长起到了首要作 用，可否顺應、開辟和指导新財產的需求模式是半导體財產轉移的首要身分。半导體發源于美國， 美國當局军事需求是拉動美國半导體業早期成长的關頭气力，1959-1960 年，美國當局采購占半 导體財產销量的 45-48%。進入 20 世纪台灣運彩場中投注， 70 年月今後，日本鼓動勉励民營企業研發電子技能，日本民 用電子获得了飞速成长，而美國照旧注意兵工產物的研產生產，為日本占据半导體市場供给了機 遇，以後跟着日本 64K DRAM 研發樂成，和日本企業代價围歼，1980s 半导體財產轉移到日本。 跟着 20 世纪 90 年月 PC 的普及，韩國先于美日企業推出 256M DRAM，中國台灣斥地代工場模 式，半导體財產轉向韩國、中國台灣。今朝中國大陆正处于新一代智妙手機、新能源汽車等行業 快速突起的過程中，已成為全世界最首要的半导體利用和消费市場之一。

中國大陆紧抓智妙手機和電動汽車两次成长機會，半导體需求可能進一步扩展。21 世纪以来，中 國逐步成為全世界最大電子信息產物制造基地。同時，全世界新能源車正处于快速成长阶段，中國事 全世界最大的新能源汽車消费市場和出產國。2021 年，我國新能源汽車贩賣额占全世界新能源汽車销 售额的 51％，新能源汽車產量 354.5 万辆，同比增加 160%。

海內政策强力支撑叠加举國體系體例延续推動，海內装备廠商有望加快發展。回看日本半导體成长的 汗青，咱們認為海內今朝半导體行業状态與日本有不少類似的地方，起首電子財產都成為經濟轉型 的重點范畴，日本當局 1971 年提出重點搀扶钻研密集財產，支撑半导體財產的成长，1976 年開 始設立超大范围集成電路的配合组合技能立异举措項目（VLSI），筹資 720 亿日元打造 DRAM集 成電路財產群，而今朝海內業不竭出台政策搀扶半导體財產的成长，國度大基金鼎力支撑半导體 財產的成长。其次，都处于財產轉移的風口，19 世纪 70 年月，日本鼎力支撑民用電子的成长， 促成了半导體財產向日本的轉移，今朝中國事最大的智妙手機出產和消费基地，新能源汽車成长 也很是强势，半导體財產第三次轉移向中國大陆。东京電子在日本半导體行業成长的黄金時代專 注半导體装备的成长，曾盘踞半导體装备贩賣额第一的寶座。今朝海內也迎来上游装备等配套環 節的成长機會，有望出生世界级的半导體装备廠商。

（本文仅供参考，不代表咱們的任何投資建议。如需利用相干信息，請参阅陈述原文。）