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1. 半导體装备鞭策芯片制造業的成长
1.1 半导體装备鞭策摩尔定律的實現
半导體是指在某些前提下导電某些前提下不导電的一類質料，糊口中經常使用“半导體”一词来泛指半导體電子元器件。集成電路是最首要的一類半导體器件，又称為芯片。
1906 年美國人德·福雷斯特（Lee De Forest）發現了世界上第一個真空三极管，1947 年贝尔實行室發現了固态晶體管，1957 年位于美國加州的仙童半导體公司包莖怎麼辦,（Fairchild Semiconductor）制造出第一個商用平面晶體管。1959 年，仙童公司和德州仪器公司（Texas Instruments）别离在硅片和锗片上完成為了微缩電路的制造，集成電路就此出生。
自問世以来，单個芯片上集成的元件数目不竭增加。1965 年英特尔（Intel）開創人之一戈登摩尔（Gordon Moore）提出，在代價稳定的環境下一块集成電路上可容纳的元器件的数量将每 18-24 個月增长一倍，機能也将晋升一倍，這就是聞名的摩尔定律。自 20 世纪 60 年月到 21 世纪的前十几年，摩尔定律完善解释了集成電路的成长進程。
摩尔定律的暗地里是半导體装备的不竭精進。集成電路多以单晶硅為基底質料，不计其数的元器件和导線颠末一些列工艺被“雕镂”在硅片上，完成這些“雕镂”步调的东西就是半导體装备。“雕镂”精度的晋升带来元器件尺寸的缩小，當今的晶工艺尺寸因此纳米级计量的。调集了全世界顶尖制造技能的半导體装备在曩昔半個世纪中不竭鞭策着人類工業文明的前進。
1.2 分歧的装备在芯片制造進程平分工明白
半导體装备重要可以分為前道装备和後道装备，前道装备是指晶圆加工装备，後道装备是指封装测试装备。前道装备完成芯片的焦點制造，後道装备完成芯片的包装和总體機能测试，是以前道装备凡是技能难度更高。
前道的晶圆加工工艺包含氧化、分散、退火、离子注入、薄膜沉积、光刻、刻蚀、化學機器平展化（CMP） 等，這些工艺其實不是单一次序履行，而是在制造每個元件時選擇性地反复举行。一個完备的晶圆加工進程中，一些工序可能履行几百次，全部流程可能必要上千個步调，凡是耗時六到八個禮拜。
集成電路就在沉积、光刻、刻蚀、抛光等步调的不竭反复中成型，全部制造工艺環環相扣，任一步调呈現問题，均可能造成全部晶圆不成逆的毁坏，是以每項工艺的装备請求都很严酷。
若是把芯片比作一幅平面雕镂作品，那末光刻機是打底稿的画笔，刻蚀機则是雕镂刀，沉积的薄膜则是用来雕镂的質料。光刻的精度直接决议了元器件刻划的尺寸，而刻蚀和薄膜沉积的精度则决议了光刻的尺寸可否現實加工，是以光刻、刻蚀和薄膜沉积装备是芯片加工進程中最首要的三類主装备，占前道装备的近 70%。
後道装备可以分為封装装备和测试装备，此中封装装备包含划片機、装片機、键合機等，测试装备包含中测機、终测機、分選機等。
後道装备的功效较易理解，划片機将全部晶圆切割成零丁的芯片颗粒，装片機和键合機等完成芯片的封装， 测试装备则賣力各個阶段的機能测试和良品挑選。
1.3 半导體装备市場高度集中
1.3.1 市場空間随下流半导體變革
按照日本半导體系體例造業协會统计，2018 年全世界半导體装备贩賣额為 645 亿美元。
世界半导體商業统计协會（WSTS）的数据顯示，2018 年全世界半导體贩賣额為 4688 亿元，此中集成電路 3633亿元；2019 年因為存储器贬價较着，全世界半导體贩賣额下滑為 4090 亿美元，此中集成電路 3304 亿美元。近年来半导體装备的贩賣额與集成電路贩賣额的颠簸大要同步，也表現了行業本錢投資存在必定周期性。
1.3.2 细分范畴市場多為寡頭垄断
半导體装备中晶圆加工装备價值占比跨越 80%，其余為封装和测试装备。在晶圆加工装备中，光刻機、刻蚀機和薄膜沉积装备三類重要装备合计價值占比靠近 70%.
全世界半导體装备市場高度垄断，此中最首要的装备制造廠商包含阿斯麦（ASML ）、利用質料（Applied Materials）、东京電子（Tokyo Electron）、泛林半导體（Lam Research）、科磊半导體（KLA-Tencor）、迪恩士（SCREEN）、日立高新（Hitachi）、泰瑞达（Teradyne）、愛德万（Advantest）等等。這些廠商凡是專注于某個范畴，并在长于的范畴具有较高的市場份额。
重要的装备廠商中，阿斯麦在光刻機范畴具有绝對上風，利用質料、东京電子和泛林半导體则在刻蚀和薄膜沉积等范畴寡頭垄断，而科磊和迪恩士等则操纵其在某項范畴的技能上風得到必定市場份额。從市場份额環境可以看出，光刻機、刻蚀機和沉积装备三類主装备廠商具有绝對的上風。
2. 半导體装备行業必要理解的三個問题
2.1 為什麼装备企業在客户集中度很高的環境下仍具有订價权？
2018 年全世界半导體装备贩賣额為 645 亿美元，仅四家晶圆廠（台积電，三星，海力士，美光）的采購额就
靠近 450 亿美元，半导體装备的客户集中度极高。按照財產經濟學的一般纪律，下流客户集中度越高，行業的订價权越弱，但是半导體装备却冲破了這個纪律。比年来，半导體装备的增速常常快于全部半导體行業的增速，半导體装备在全部財產链中具有愈来愈多的订價权。咱們認為重要缘由有三點：財產链繁杂，技能前進快，轉换本錢高
2.1.1 工艺繁杂和分工细化晋升装备廠商话語权
在凡是的制造財產链中，若是客户集中度高，上游装备廠的议價能力常常會大幅削弱。電池財產链就是個很好的例子，固然電池出產商集中水平和半导體雷同，但電池装备生廠商的议價能力很是弱，有時電池廠商與装备出產商配合開辟出一款装备，專利归属電池廠而非装备商。但半导體装备從未呈現過雷同的環境。
在制造業中，財產链步调越多，上游質料装备的话語权越强。電池出產與半导體出產最大的區分在于其出產 步调数目。電池出產只必要几十步流程，電池出產商在出產本身產物的同時，彻底有余力去做上游的装备和質料。但是半导體的出產流程動辄必要几千步，晶剝瓜子機,圆廠将產物颠末几千步的工艺進程制造出来，良率到达必定的尺度，必要耗费大量的精神，没有余力去做上游装备及質料的開辟。是以，晶圆加工場甘愿為装备廠商轉讓更多利润，来得到装备廠最新的產物和延续的技能支撑，装备廠商從而具有更高的订價权。
2.1.2 装备廠商承當了晶圆廠的前期研發使命
半导體出產步调繁杂是半导體装备利润率高的缘由之一，可是半导體装备廠和下流晶圆制造廠互相共同的研發模式也是装备行業终年高利润的另外一個缘由。
半导體装备的供给對付晶圆加工場来讲不但仅是產能的晋升，更是制程精進的根本，装备企業對付晶圆加工場来讲更像是外置的研發中間。
現在的芯片加工以纳米為標准，在微觀世界中不少根本理论還還没有完美，装备精度的每次晋升都陪伴着大 量的根本理论和利用技能的钻研。在晶圆加工進程中動辄上千步的晶圆加工工艺開辟已然令晶圆廠目不暇接， 将装备研發的使命和危害轉交给装备廠商是晶圆廠更明智的選擇。是以，晶圆廠不单不會试圖压低装备廠商的利润，還會自動供给資金和資本支撑新装备的研發。
2.1.3 装备定制化带来极高客户粘性和轉换本錢
装备出廠到晶圆廠產線凡是還必要一段時候的安装和调试。因為晶圆加工工艺各有分歧，部門装备是高度定制化的，装备必要针對晶圆廠請求举行特别的研發和設置。完备的工艺開辟必要装备廠和晶圆廠互助完成， 已成熟的工艺若是改换装备，會必娛樂城體驗金500，要從新投入大量的人力和財力，而且承當未知的危害，是以晶圆廠對付装备凡是具备较高粘性。
2.2 為什麼光刻一家独大，刻蚀歐冠盃足球下注，寡頭垄断？
一方面，半导體装备总體市場范围不大，各种装备市場范围多在几十亿美元，最高的光刻和刻蚀也只到百亿美元的范围；另外一方面，半导體装备属于技能門坎极高的行業，必要较多的技能堆集和延续的高研發投入。是以，不管是全部行業仍是某個子范畴，市場均顯現高度集中。但是咱們發明，同作為主装备，光刻與刻蚀的竞争款式却不太不异，在光刻范畴呈近乎彻底垄断的竞争款式，但是在刻蚀范畴却顯現寡頭竞争的竞争款式，咱們認為致使這類竞争款式的根来源根基因在于這两個范畴的技能變迁特色分歧。
2.2.1 光刻和刻蚀技能更替的差别带来市場款式分歧
浸润式光刻是干法光刻的替换技能。光刻技能限定集成電路制程成长，晶圆廠為了得到更高辨别率的光刻機费尽心血。80 年月，尼康在光刻范畴占据垄断职位地方，此韶光刻范畴以干法光刻為主。2000 年，更高辨别率的浸润式光刻代替了干法光刻，是以阿斯麦也代替了尼康佳能在光刻范畴的霸主职位地方。
ICP 刻蚀其實不是 CCP 刻蚀的替换技能，而是各有千秋，偏重了分歧工艺步调。ICP 技能是刻蚀底层器件的， CCP 技能是刻蚀上层路線的。集成電路布局中既有底层器件又有上层路線，ICP 在發現之初就與 CCP 技能共存。集成電路的底层器件只有一层，光刻技能在 20nm 以上可以在底层器件上做到绝對切确，以是只必要用一次 ICP 工艺，但是集成電路的上层路線却有几十层之数，必要用到几十次 CCP 刻蚀，以是 20nm 之前的刻蚀装备以 CCP 為主，长于 CCP 刻蚀的利用質料一家独大。但是 20nm 如下，因為光刻的精度到达了极限，必要用多重刻蚀+薄膜的技能在集成電路的底层器件上實現請求的精度，ICP 在底层器件上的利用次数一下暴增，這就造成為了比年长于 ICP 刻蚀的泛林半导體超出了利用質料，成為刻蚀范畴的龙頭。但是 CCP 的需求一向還存在，并無被 ICP 代替，以是利用質料仿照照旧保有必定的刻蚀范畴的市場份额。
2.2.2 光刻：新旧技能替换带来彻底垄断
荷兰的阿斯麦是光刻機市場上的霸主，市占率跨越 70%。固然尼康和佳能還具有必定市場份额，但在主流的逻辑芯片加工范畴，尼康和佳能彻底無力和阿斯麦竞争。
在 2000 年以前，光刻機市場還不是如许的場合排場。60 年月末，尼康和佳能起頭制造光刻機，彼時的光刻機的繁杂水平和相機差未几。1984 年阿斯麦建立時，光刻機仍是尼康的全國，市場份额一度跨越 50%，而阿斯麦的份额终年不跨越 10%。
90 年月，光刻機起頭了光源波长的竞争。光刻機将掩膜版上的圖形刻划到晶圆上，操纵的就是光走直線性子。可是微觀世界下光的衍射感化會使光芒不必定走直線，這直接影响光刻機的最高辨别率，若要提高辨别率就必要缩小光源的波长。到 90 年月末，193nm 波长的 DUV（深紫外光）光刻機也已研制樂成，但人們迟迟没能完成下一代的 157nm 波长產物的研發。就在此時，時任台积電研發副司理的林本坚提出了操纵水的折射收缩光波长的方案，即厥後的“淹没式光刻”。可是業界龙頭尼康不肯意抛却前期在 157nm 波长研發上投入的巨额本錢，回绝了林本坚的方案，只有阿斯麦决议押注這個標的目的。2004 年，阿斯麦和台积電配合研發的淹没式光刻機出生，因為是在成熟的 193nm 技能上改良的，装备不乱性和革新本錢较着優于尼康同時推出的 157nm 干式刻蚀機。阿斯麦的市場份额随之大幅晋升，從本来的不到 10%到 2009 年到达了 70%，成為绝對的领先者。尼康在此關頭節點上的决议计划毛病使其在短短几年時候內落空了行業领先的职位地方。
真正奠基阿斯麦霸主职位地方的是 13.5nm 波长 EUV（极紫外光）光刻機的研發。EUV 光刻機早在 90 年月就已提出，因為其技能难度高，英特尔说服美國當局建立了 EUVLLC 這個互助研發组织。因為美國當局的阻止，尼康被解除在外，而阿斯麦则在做出一些列许诺後参加组织。EUV 光刻機的研發堪称集中了欧洲和美國的最先辈技能，英特尔、三星、台积電等也纷繁入股阿斯麦，自力研發的尼康也無力再介入竞争。2019 年，用時20 年研發的 EUV 光刻機终究利用于產線，它的出生将大幅缩減 7nm 和 5nm 制程的工艺步调。
現在，用于先辈制程逻辑芯片的淹没式193nmDUV 和EUV光刻機根基被阿斯麦垄断。尼康和佳能只在193nm 如下的范畴具有必定份额，這些装备重要用于對制程需求不高的范畴，如存储器、摹拟芯片、功率半导體和平凡逻辑芯片等。
2.2.3 刻蚀：新旧技能共存構成寡頭竞争
在全世界的刻蚀装备寡頭企業共有三家，别离是泛林半导體、利用質料和东京電子，而這三家也盘踞了薄膜沉积市場的重要份额。
如许的市場款式天然是颠末屡次技能變化和整合镌汰構成的。在 20 世纪 80 年月，全世界最少有 20 家刻蚀装备制造商，彼時市占率最高的企業是利用質料，泛林半导體尚不足以與其對抗。颠末從 90 年月今後十几年的成长，泛林和东京電子的市場份额渐渐赶超利用質料，2010 年今後泛林成长成為市場份额独有對折以上的刻蚀龙頭。想要复盘這個進程，就不能不從刻蚀機的技能成长進程提及。
刻蚀機成长到干法刻蚀阶段今後，最首要的技能就是等离子體刻蚀。依照等离子體的天生方法，可以分為容性耦合等离子體（CCP/Capacitively Coupled Plasma ）、感性耦合等离子體（ICP/Inductively Coupled Plasma）。因為等离子體發生的方法分歧，刻蚀機的布局、機能和特色也存在较大的差别。此中 CCP 属于中密度等离子體，ICP 则属于高密度等离子體。CCP 技能的發現早于 ICP，但因為其特色的分歧，两類技能并不是互相代替，而是互相弥補的瓜葛。CCP 的等离子密度固然较低，但能量较高，合适刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介質質料；ICP 的等离子密度高，能量低，可以自力節制离子密度和能量，有更機動的调控手腕， 合适刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的質料。
等离子體刻蚀大范围利用肇端于 20 世纪 80 年月，此時的產物主如果 CCP 装备。利用質料 1981 年正式推出 CCP 干法刻蚀產物，很快获得市占率第一的职位地方，彼時泛林半导體方才建立。到 1988 年，利用質料在刻蚀市場盘踞 37%的市場份额，泛林半导體盘踞 12%，得到泛林部門技能授权的东京電子则具有 8%的份额。到了 90 年月，ICP 的觀點起頭引入，因為感性耦合的等离子體具备更高的密度和更低的能量，可控性较着强于 CCP，跟着集成電路對邃密加工需求的增加，ICP 迎来庞大的需求市場，泛林的 ICP 產物機能和操作便捷性優于利用質料。在随後的几年里，泛林凭仗 ICP 產物的樂成市場份额逐年晋升，1993 年到达 30%，初次跨越利用質料，就此奠基了刻蚀產物龙頭的职位地方。90 年月後的十几年，利用質料的 CCP 市場份额在颠簸中連结不乱，泛林半导體一跃成為市占率第一的龙頭。
2.3 為什麼近年来刻蚀装备的價值占比不竭上升？
2017 年，刻蚀装备在產線中的價值占比到达 24%摆布，代替光刻機成為晶圆加工場投資额最高的装备，2018年刻蚀機贩賣额跨越 100 亿美元。自 2012 年以来，刻蚀機在晶圆廠装备中的價值占比渐渐晋升，與之對應的是光刻機的價值占比下滑，這此中的重要缘由来自于光刻機技能瓶颈和芯片布局變革带来的晶圆加工工序的调解。
2.3.1 光刻機的技能瓶颈鞭策刻蚀機市場成长
193nm 波长皮膚瘙癢, DUV 深紫外光產物 2000 年摆布就已出生，其理论上的最高精度為 65nm，即使厥後采纳淹没式光刻使得光芒颠末液體折射後等效波长缩小至 134nm，其理论上的最高精度也仅晋升到 28nm。那末在光刻機技能故步自封的十几年中，芯片的工艺制程又是若何晋升的呢？
想要继续提晋升制程大要有两個思绪，即两重光刻+刻蚀，或多重薄膜+刻蚀。详细采纳哪一种思绪则按照工艺需求来决议，但不管用哪一种思绪都离不開刻蚀步调的增长。從 65nm 制程起頭，每次制程的精進都必要大幅增长刻蚀的步调，7nm 制程中刻蚀步调比 28nm 增长了 3 倍。是以，近年来刻蚀装备是半导體装备中增加最快的范畴.
2.3.2 芯片設計的變革带来刻蚀装备需求的晋升
存储器是半导體贩賣额中占比最大的一類芯片，DRAM 和 NAND 盘踞跨越 90%的存储器份额。存储器固然不必要最先辈的制程制造，但也都到达了 1X nm 级别（即十几纳米），刻蚀装备利用量较着增长。而且，2016 年今後，各大原廠均進入了 3D NAND 量產的期間。3D NAND 采纳将存储单位重叠的结構，必要更多的通孔和导線等的刻蚀，比拟于 2D NAND 的制造，3D NAND 中刻蚀装备的支撑占比由约 15%晋升到约 50%。以泛林半导體的財報表露数据来看，来自存储器廠商的營收進献量從 2012 年的 40%摆布晋升至 2019 年的70%摆布，重要来自刻蚀装备出貨量的變革。是以 3D NAND 的量產再次晋升了刻蚀装备的需求。
别的，跟着 TSV 封装技能的利用，刻蚀装备也利用于芯片封装產線。3D 封装被認為是在摩尔定律失效的環境下晋升芯片機能的有用方法，跟着 3D 封装的推行，刻蚀装备可能获得更多的利用。
3. 预测将来，國產半导體装备正在逆袭
3.1 工程师盈利助力我國企業的追逐式研發
近年来我國已起頭在各种装备中展開追逐式研發，在技能难度最高的主装备中，刻蚀機走在國產替换的最前列。我國企業受益于工程师盈利，比拟外洋企業，具有研發效力高，研發危害更低等上風，是以在半导體装备范畴實現技能赶超的可能性不低。
起首，追逐式研發危害相對于更低。
领先企業在新產物研發的進程中凡是要承當两個類型的危害，一類是技能研發失败的危害，一類是對市場技能線路果断失误的危害。因為高研發投入带来的沉没本錢，市場果断失误常常會是企業落空上風。對付技能追逐者来讲，技能線路市場標的目的已被先行者肯定，研發危害會相對于低一些。
先行者為了連结其上風常常申請大量相干范畴的專利，追逐者最重要的难度集中在如安在规避現有專利限定的環境下實現技能领悟。
其次，我國企業人工本錢低，研發效力高。
固然半导體装备本錢中直接人工占比力低，但廠家的竞争力来自于研發的效力，研發的人工本錢仍然會直接影响公司的竞争力。据估量，美日等發財國度一般工程师的均匀薪水是海內的三到四倍，海內廠商在研發團队组建時本錢上風较着，對付資金其實不雄厚的追逐者来讲這是一個不成轻忽的利好。只要在某項重點范畴中實現對付外洋企業的比力上風，我國企業就有機遇實現技能替换。
别的，受國情身分的影响，我國研發职員事情時长廣泛高于發財國度的征象也是客觀存在的，這也有益于海內企業研發效力的晋升。
3.2 半导體財產链中國轉移和存储器國產化是重大機會
3.2.1 半导體財產链轉向中國，冲破海內客户是第一步國
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海外龙頭企業的快速成持久陪伴着全世界半导體市場的高速增加。2000 年今後，全世界装备市場增速有所放缓，但中國大陆半导體財產方才起步。2005 年中國大陆半导體装备贩賣额约 13 亿美元，2018 年上升至 131 亿美元，全世界占比從 4%增加至 20%，尤以 2016 年今後投資增长较着。國際半导體財產协會（SEMI）估量， 2020 年中國半导體装备的投資额可能到达 200 亿美元，是全世界投資最高的國度。
按照 IC Insights 的陈述，2018 年末中國大陆的晶圆廠產能 236.1 万片/月，占全世界的 12.5%，比 2017 年末的 10.8%增长了 1.7 個百分點。2018 年中邦本土制造的芯片價值量约占本土贩賣额的 15%，到 2023 年可能晋升至 20%。跟着全世界半导體財產链向中國的轉移，捉住海內客户是國產装备企業實現冲破的第一步。
海內用户的對國產廠商的支撑是空前的。
在自由畅通的市場中，下流客户很难愿意捐躯本身的經濟长处去培育提拔新的供给商，因此寡頭企業具有的大量客户資本和用户反馈信息是其他竞争者难以跨越的上風，這在以研發為主导的高技能行業尤其较着。可是， 對中國来讲，自由公允的市場或许其實不能等闲得到。2018 年的美國制裁中兴事務讓人們蓦地惊醒，即即是和平年月咱們也可能落空焦點產物的供應，而随後到来的華為事務和“實體清单”更是讓全社會構成共鸣，關乎國民經濟的焦點技能和供给链必需把握在本身手中。
半导體装备和質料位于制造業生态链的顶端，一旦美國将制裁气力伸向装备和質料范畴，我國制造業的丧失将是极為惨痛的。在這類環境下，培養我國本身的半导體装备和質料制造商成為全部半导體行業的共鸣，整 個財產链轉讓一部門长处去支撑海內装备廠商研發成為實際可能。
3.2.2 存储器國產化為我國刻蚀機廠商带来機會
起首，存储器其實不必要最先辈的制程，現有的 193nm 淹没式光刻機已足够，短時間內不會呈現因 EUV 的利用而削減刻蚀工艺的環境。以當前装备市場的情势看，光刻機國產替换的难度较大，同為主装备的刻蚀機是率先國產替换的好標的目的。
其次，存储器晶圆廠带来了刻蚀装备最大的增量投資，新建存储器產線中刻蚀機的價值量到达 50%。按照规划，长江存储总投資将到达 1600 亿元人民币，合肥长鑫投資跨越 1500 亿元人民币，為海內刻蚀機廠商供给可觀的增量市場。
第三，新建廠商還未構成客户粘性。因為海內的长江存储和合肥长鑫均属于全新兴修的廠商，與所有装备廠商均不存在以往的互助，海內企業相應敏捷的上風将有所表現。在用户的成心培育下，海內刻蚀機廠商有望與存储器廠商配合發展。
中微公司和北方華創是我國刻蚀機企業，在海內客户的認證中已获得必定成就。截至 2020 年 2 月尾，长江存储已颁布的中標信息中，中微公司的刻蚀機中標数目占比 15%，仅次于泛林半导體排名第二，高于东京電子和利用質料。分范畴来看，中微公司在其长于的介質刻蚀范畴中排名第二，份额均遠高于全世界市場份额。
3.2.3 從專一冲破到平台整合是我國企業應鉴戒的發展之路
專注某一范畴做大做强，再并購整合其他營業，是利用質料和泛林半导體的等國際巨擘配合的發展路径。
利用質料在建立之初作為装备出產贸易绩增加敏捷，1974 年公司收購一家硅片出產公司将公司的營業拓展至硅片制造范畴。但是此次收購并無未公司带来應有的收益，反而因半导體行業的不景气使公司持续三年吃亏。1977 年，新上任的 CEO 决议出售硅片營業，專注半导體装备的研發。颠末鼎新後，公司重回快速增加， 到 1992 年景為世界第一泰半导體装备公司。90 年月今後，利用質料經由過程一些列收購将營業扩大至量测、CMP 等范畴，并巩固和加强了其在沉积、刻蚀、离子注入等主装备范畴的职位地方，成為具有產物線最周全的半导體装备龙頭。
泛林半导體在建立之初專注于刻蚀装备的出產，開端获得必定市場份额後，在 90 年月将營業拓展至 CVD 和FPD（顯示面板）范畴。可是營業的拓展并無為公司带来應有的收益，反而分离了公司的營業核心，致使1998 年公司吃亏 1.45 亿美元。颠末痛彻思虑後，公司决议在遏制 CVD 和FPD 營業，整合股源用心研發刻蚀装备。2007 年今後，公司在刻蚀范畴的职位地方無可撼動，這才從新将營業拓展至洗濯和 CVD 等范畴。
我國企業在追逐之初一样應當参照國際巨擘的發展模式，集中气力專注于某一范畴的钻研。在主装备廠商中， 比拟于全平台式结構，專一于某一范畴的计谋更靠近于國際巨擘在早期的成长路径。刻蚀装备作為三大主装备之一，進入客户產線後可具有必定的话語权，乃至影响客户對其他装备的采購。海內走在前列的刻蚀装备廠商，有但愿在刻蚀機范畴率先構成對國際巨擘的威逼，而且更有可能在将来整合海內資本，集中上風举行國際客户冲破。
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發表於 2023-2-8 16:37:12
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